集成电路范文

集成电路范文第1篇

2.IC设计:系统整机厂商的新选择李明骏

3.电子书成功的三个要素中国集成电路 李明骏

4.LED照明:不仅仅是高亮度RichardFZarr

5.半导体存储器产业的初步实践与思考高传贵

6.艰难困苦玉汝于成——访艾克赛利公司总裁张锡盛博士挽弓

7.持续发挥模拟代工优势,华润上华致力提升客户产品竞争力胡芃

8.质量管理的基本概念张志宏

9.一种CMMB接收机OFDM频偏估计方法李刚

10.对射频电感实现PDK参数化和建模的难点处理王浩，黄勇，吴林

11.基于STI工艺的高压LDMOS器件设计与优化周杰，陈利，郭东辉，ZHOUJie，CHENLi，GUODong-hui

12.多片大规模FPGA的ASIC原型验证平台快速设计方法郭叙海

13.CMOS掉电检测及保护电路设计江浩

14.5.2GHz0.18μmCMOS射频低噪声放大器的设计周盛华，叶有祥，李海华，ZHOUSheng-hua，YEyou-xiang，LIhai-hua

15.HDMICEC的设计与实现张涌，黄世震，ZHANGYong，HUANGShi-zhen

16.SOC芯片的高速模拟IP测试方法学曾培雄，苏哲彬，倪绵喜，陈宏铭

17.MEMS加速计、陀螺仪和地磁感应计推动创新型消费电子应用发展FabioPasolini

18.深圳IC设计产业发展目标、思路和重点

19.闪存涉诉"337",下游厂商受牵连——浅析三星闪存芯片知识产权纠纷案逄杨，PANGYang

1.信息动态

2.在创新中发展的互联网(吴建平教授讲话摘要)为民

3.3GPP-LTE基带处理系统仿真与计算需求分析李闻博，陈书明

4.基于扩频通信的低压电力线载波芯片的设计荣岳栋，徐东明，周晓刚，RONGYue-dong，XUDong-ming，ZHOUXiao-gang

5.一种用于14bitSARADC的DAC设计刘永红，何明华，LIUYong-hong，HEMing-hua

6.低抖动的480MHzCMOS电荷泵式锁相环吴玉强

7.基于CBIC的DDFS设计张涌，黄世震，ZHANGYong，HUANGShi-zhen

8.一种红外遥控编码专用芯片的设计与实现李新，贾怀彬，陆婷，LIXin，JIAHuai-bin，LUTing

9.面向DSRC的5.8GHz射频功率放大器仿真设计邢飞燕，孙玲，彭艳军，XINGFei-yan，SUNLing，PENGYan-jun

10.隐式认证在移动设备中的应用顾海华

11.InGaP/GaAsHBT射频功率放大器在片温度补偿电路研究李诚瞻，陈志坚，王永平，马传辉，杨寒冰，廖英豪，周勇，刘斌

12.基于概率计算的数字滤波器的实现陈杰男，胡剑浩，CHENJie-nan，HUJian-hao

13.基于FSL总线及MicroBlaze系统的IDCT变换的实例郭星辰

14.非接触式IC卡硬件驱动层的功能测试方法左捷，ZUOJie

15.无锡集成电路产业发展情况国家集成电路设计无锡产业化基地，无锡国家集成电路设计基地有限公司

16.无锡新区超大规模集成电路园(2010年-2012年)行动计划(要点)

17.集成电路反向工程知识产权问题探析于鹏，杜娇，游涛，谢学军，YUPeng，DUJiao，YOUTao，XIEXue-jun

1.信息动态

2.飞思卡尔2010技术论坛在上海开幕——"智能互联"时代已经来临

3.聚全球资源做世界光谷——第七届"中国光谷"国际光电子博览会暨论坛武汉召开

4.中国集成电路 国际半导体技术发展路线图(ITRS)2009年版综述(8)为国

5.阻碍国内RFID产业发展的关键技术壁垒及其突破途径与策略研究王晔

6.华罗庚:在困境中更要发愤求进为民

7.长电科技——半导体封测领域的领跑者——访江苏长电科技股份有限公司董事长王新潮黄友庚

8.通用型I2C总线的IP设计与验证陈涛，王伟，田华

9.一种电子系统认证芯片的物理设计赖松林，LAISong-lin

10.SDH传输系统中帧定位电路设计吕瑾，徐东明，张云军，LVJin，XUDong-ming，ZHANGYun-jun

11.基于无线传感器网络的体温测量系统设计田颖，刘军，TIANYing，LIUJun

12.ATE的技术演进规律及多点测试的成本分析李文石，刘晶

13.跨时钟域信号同步的IP解决方案RickKelly

14.开源软件涉及的相关知识产权问题分析工业和信息化部软件与集成电路促进中心知识产权部

1.信息动态

2.国际半导体技术发展路线图(ITRS)2009年版综述(7)为国

3.终生以国家需求为己任——记侯朝焕院士的科学追求为民综合报道

4.片上网络的动态虚通道分配策略沈慧，凌翔，SHENHui，LINGXiang

5.基于串行通讯的FPG上RAM数据下载与系统调试唐凯，周剑扬，TANGKai，ZHOUJian-yang

6.一个高精度、低成本10位数字模拟转换器的设计与实现马烨，李斌，MAYe，LIBin

7.基于FPGA的USB2.0控制器的设计张健，黄虎，ZHANGJian，HUANGHu

8.数字中频接收机信号处理的研究朱运航，屈辉立，ZHUYun-hang，QUHui-li

9.一种用于DCDC的软启动电路吴玉强，夏书香，胡江鸣

10.H.264标准二进制算术编码IP核设计陈传东，何明华，王仁平，CHENChuan-dong，HEMing-hua，WANGRen-ping

11.片上网络路由器的交叉开关设计实现付志洲，凌翔，FUZhi-zhou，LINGXiang

12.超高频射频识别标签和阅读器产品测试平台姜祁峰

13.上海微系统所迈开SOI技术产业化大步沪生综合报道

14.电源管理策略推动便携式设计发展BrianChu

15.Intel与AmberWave专利诉讼解析邵莉，武晓岛，谢学军，SHAOli，WUXiao-dao，XIEXue-jun

1.信息动态

2.信息科技的发展态势和我们的目标选择李国杰

3.怀念数学宗师华罗庚先生——学习老一辈科学家的高尚品德

4.基于NoC架构的软件无线电验证平台设计王建荣，陈亦欧，凌翔

5.基于FPGA的软硬件协同仿真加速技术江霞林，周剑扬，杨银涛，林晓立，JIANGXia-lin，ZHOUJian-yang，YANGYin-tao，LINXiao-lihHTTp://

6.应用于DDR2/3之补偿式IBIS切换电流模型曾博民，赖颖俊，张哲玮，陈宏铭

7.基于SystemGenerator的Costas锁相环设计实现冉旋，凌翔，RANXuan，LINGXiang

8.基于OCP接口的片上网络性能评估平台罗丹，吴宁，LUODan，WUNing

9.16位数字二阶∑-调制器的分析与设计赵以诚，宋强国，吴春瑜，梁洁

10.915MHz射频收发系统的ADS设计与仿真李宝山，张香泽，LIBao-shan，ZHANGXiang-ze

11.基于测试码的测试:多测试位模拟和混合信号器件并行测试效率的关键问题JackWeimer

12.一种基于FX589的位同步提取电路设计李霞，郭勇

13.BP2808的LED照明灯具电源应用设计技术中国集成电路 颜重光

14.安森美半导体先进电机控制技术满足更高能效要求安森美半导体公司

15.OLED行业专利分析杨飞，梁海龙，YANGFei，LIANGHai-long

1.业界要闻

2.国际半导体技术发展路线图(ITRS)2009年版综述(6)

3.人才兴则民族兴,人才强则国家强——十年树木百年树人为民

4.适应科学技术发展自觉成才,为了祖国振兴奋勇拼搏——记程京院士的成长与创业为民

5.LEON微处理器综述牛伟

6.信息

7.一种使用在基于单元库布局布线流程的芯片上变异(OCV)监控器方法学洪郁庭，蔡裕文，陈宏铭，HUNGYu-ting，TsaiYu-Wen，CHENHung-ming

8.低功耗方法在SoC芯片设计中的应用马芝

9.ARM专为无晶圆厂半导体公司量身打造的、基于处理器的经济型定制SoCJayJohnson

10.使用Synopsys的DesignWare(R)IP实现基于AMBA(R)3AXITM协议的快速设计MickPosner

11.畅游于无限的内容世界未来的家庭电视体验?ChrisPorthouse

12.征稿启事

13.基于RS422的远程控制高精度频率源设计刘再东，祝忠明，史钦文，余艳平，LIUZai-dong，ZHUZhong-ming，SHIQin-wen，YUYan-ping

14.交通灯控制器的设计与实现黄鸿锋

15.晶体硅太阳能电池的丝网印刷技术应用材料(中国)有限公司

16.Tensilica公司资深专家ChrisRowen博士畅谈微处理器和SoC设计技术的发展趋势

17.开放式SoC解决方案平台-SOCIP——访思尔芯信息科技有限公司董事长陈睦仁彭园萍

18.计算机软件商业秘密的法律保护游涛，YOUTao

1.业界要闻·信息

2.CSIP与华旗爱国者携手共建企业创新中心

3.国际半导体技术发展路线图(ITRS)2009年版综述(5)为国

4.ECC在信息安全领域内的应用现状汪朝晖

5.英特尔公司全球副总裁兼中国总裁杨叙谈:英特尔如何应对金融危机刘湘明

6.消费类电子带动ARM在中国的发展——访ARM中国总经理兼销售副总裁AllenWu彭园萍

7.中小型IC设计公司的福音:微电子封装与系统集成公共服务平台成立——访北京大学上海微电子研究院院长程玉华先生彭园萍

8.芯片设计中的功耗估计与优化技术于立波，YULi-bo

9.基于TSMC55工艺的ELC流程孟少鹏，马强，MENGShao-peng，MAqiang

10.用太阳能电池供电的锂电池充电管理集成电路的设计程莉莉，赵建龙，熊勇，纪虹，张为，郑殷，CHENGLi-li，ZHAOJian-long，XIONGYong，JIHong，ZHANGWei，ZHENGYin

11.长度为2n的FFT运算基实现张思为，胡剑浩，ZHANGSi-wei，HUJian-hao

12.基于GaN的功率技术引发电子转换革命TimMcDonald

13.携手合作,电子设计自动化工具也能够密切协作RichardMorse，SpringSoftInc.

14.半导体封装行业ERP与MES融合初探郭雁冰，周军德，GUOYan-bing，ZHOUJun-de

15.中国集成电路 STIL-ATE与EDA之间的桥粱孙亚春

16.高集成度锁相环在40/49MHz婴儿监听器中的应用马芝

17.睿智变革,瑞芯微电子创造移动互联完整解决之道福州瑞芯微电子有限公司

18.直观中国蓝光标准CBHD的专利分布——物理格式王潇，杨飞，徐丹，WANGXiao，YANGFei，XUDan

集成电路范文第2篇

SoC是微电子设计领域的一场革命，能在单个或少数芯片上完成整个系统的功能。

目前，每个人都可以感觉到信息技术带来的变化，它被广泛地应用于国民经济、国防建设和家庭生活的各个方面，正在改变着我们的生活、生产方式。这场革命的基础是微电子技术。

世界上第一个晶体管诞生10年后，集成电路（IC）开始兴起。IC产业技术经历了电路集成、功能集成、技术集成，发展到现在基于计算机软硬件的知识集成。按照摩尔定律，芯片的晶体管数越来越多。当然，聪明的IT人士不禁会想到，不能只追求单个微处理机功能的提高，而是可以把整个系统集成到一个芯片上，也就是将系统电路板上的多个芯片集成到一个芯片上而取代原来的电路板，于是SoC（System on Chip，片上系统）时代开始了。

从狭义角度讲，SoC是信息系统的芯片集成，是将系统集成在一块芯片中。从广义角度讲，SoC就是一个微小型系统。整个电子整机的功能将可以集成到一块芯片中。在不久的将来，集成电路与电子整机之间的界限将被彻底打破。

1991年，ARM公司提出的RISC IP内核（Core）是一种无芯片设计，可供SoC设计使用的知识产权（Intellectual Property IP）内核。这样，上世纪90年代中期出现了SoC概念。随着超深亚微米工艺的不断发展，以3C融合为特征的后PC时代为SoC发展创造了广阔的发展空间，也日益引起学术界和工业界的极大关注。SoC品种日益繁多，在关注面积、延迟、功耗的基础上，设计目标向高成品率、高可靠性、低EMI噪声、低成本、高易用性等方面转移，促使系统级集成快速发展。

目前，很多具有中央处理器功能的主流消费性电子产品（如视频转换器、移动电话和PDA等）中的芯片，都可称之为SoC芯片。这类产品对成本与市场价格相当敏感，因此，业者的竞争力便来自于谁能更好地控制成本。由于在一个芯片中集成了多种不同的功能模块，SoC技术为降低消费类电子产品的成本提供了机会。更重要的是SoC具有应用领域的行为和功能特征，具有更多的应用专业知识，使整机成本、体积以及功耗都大大降低，加快了整机系统更新换代的速度。

SoC与单功能芯片相比有如下优点:

(1) 增加功能，从单一功能增加到多种功能。

(2) 提高性能指标，在相同的工艺条件下可实现更高性能的系统指标，同时，采用SoC设计方法完成同样功能所需的晶体管数目可降低2-3个数量级。

(3) 减少体积，降低所占的印制电路板(PCB) 空间。一个芯片集成一个系统，相当于一个部件或一部整机，势必减少整机的体积。

(4) 缩短产品上市时间，以获取更多的利润。如DVD用SoC后的研制时间可从原来的1～2 年缩短到6个月以内。

(5) 降低功耗，提高抗电磁干扰和系统可靠性。如日本日立公司HG73M系列SoC，它集成SH3型SPU Core、高速逻辑电路和高密度DRAM等，其数据传输速率比采用外部DRAM 系统高10～100倍，其功耗仅为原来的1/10～1/2。

(6) 降低成本。SoC要集成多种功能的IC，要缩短设计周期，必须向别的公司购买IP，可减少重复劳动、提高效率、节约开支、降低成本，并且减少了电路芯片，也降低了整机的成本。

(7) 缩短供需双方的距离，SoC制造商要更多地与用户联系，尽早让用户参与设计，这样设计出来的芯片上市最快、最受用户欢迎，也最容易占领市场。

集成电路范文第3篇

【关键词】集成电路；应用

一、引言

集成电路技术作为微电子技术的一个重要门类和组成部分，其技术发展遵循着著名的摩尔定律，仅仅需要1.5年的时间就能够将相同性能的电路压缩到原有体积的一半，而进40年来，集成电路的体积几乎缩小了30000倍。当前，顶尖的集成电路研发技术掌握在少数几个发达国家的研究机构手中，而与集成电路息息相关的IC产业已经被高度整合，从设计，到制造，到封装再到测试，已经形成了一条完整的产业链，集成电路的广泛应用不断地推动着科技的进步，也不断地改变着人类的生活。本文将讨论集成电路的原理，分析集成电路的发展，最后讨论集成电路的应用。

二、集成电路概述

微电子学是一种结合了电子学以及材料物理学的综合学科，该学科的主要研究认为是将半导体材料进行适当处理，制造出微型电子电路、微型电子系统以满足各种应用需要。基于微电子技术发展起来的集成电路技术主要囊括了材料技术、电路技术、集成封装技术等几个门类，主要通过将晶体管器件、电阻器件、电容器件等按照电路原理高度集成在一起，从而实现电路的某种功能，从集成电路输入输出关系来看，集成电路一般可以分为模拟集成电路和数字集成电路两种。

三、常见集成电路举例

1.74LS138译码器

74LS139集成电路是常见的两个2线－4线译码器，共有54/74S139和54/74LS139两种线路结构型式，当选通端（G1）为高电平，可将地址端（A、B）的二进制编码在一个对应的输出端以低电平译出。若将选通端（G1）作为数据输入端时，74LS139还可作数据分配器。A、B译码地址输入端，高电平触发；芯片的G1、G2为选通端，低电平触发有效；Y0～Y3为译码输出端。

2.74ls244缓冲器

74LS244是一种3态8位缓冲器，一般用作总线驱动器。74LS244芯片没有锁存的功能，地址锁存器就是一个暂存器，74LS244根据控制信号的状态，将总线上地址代码暂存起来。8086/8088数据和地址总线采用分时复用操作方法，即用同一总线既传输数据又传输地址。

当微处理器与存储器交换信号时，首先由CPU发出存储器地址，同时发出允许锁存信号ALE给锁存器，当锁存器接到该信号后将地址/数据总线上的地址锁存在总线上，随后才能传输数据。

3.555定时器

555定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件，是最常见的定时器集成电路。一般用双极性工艺制作的称为555，用CMOS工艺制作的称为7555，除单定时器外，还有对应的双定时器556/7556。555定时器的电源电压范围宽，可在4.5V～16V工作，7555可在3～18V工作，输出驱动电流约为200mA，因而其输出可与TTL、CMOS或者模拟电路电平兼容。一般来说，555定时器的功能实现由比较器决定。两个比较器的输出电压控制RS触发器和放电管的状态。在电源与地之间加上电压，当5脚悬空时，则电压比较器C1的同相输入端的电压为2VCC/3，C2的反相输入端的电压为VCC/3。若触发输入端TR的电压小于VCC/3，则比较器C2的输出为0，可使RS触发器置1，使输出端OUT=1。如果阈值输入端TH的电压大于2VCC/3，同时TR端的电压大于VCC/3，则C1的输出为0，C2的输出为1，可将RS触发器置0，使输出为0电平。

555的应用：

（1）构成施密特触发器，用于TTL系统的接口，整形电路等；

（2）构成多谐振荡器，组成信号产生电路，振荡周期：T=0.7（R1+2R2）C；

（3）构成单稳态触发器，用于定时延时整形及一些定时开关中。

555应用电路采用以上三种方式中的1种或多种组合起来可以组成各种实用的电子电路，如定时器、分频器、脉冲信号发生器、元件参数和电路检测电路、玩具游戏机电路、音响告警电路、电源交换电路、频率变换电路、自动控制电路等。

四、集成电路发展

电路工艺是集成电路技术中最为基础的部分，主要涉及到扩散技术、氧化技术、光刻腐蚀技术以及薄膜再生技术等方面。上世纪六十年代末，微电子研究人员充分研究了氧化二硅系统的电性质，完成了界面物理研究的理论储备，紧接着科学家通过控制钠离子玷污的手法，配合使用高纯度的材料，成功实现了MOS集成电路的生产，由于MOS电路在工艺上易于控制、功耗很低、集成度高、可裁剪性强等优点，当前半导体工业中，绝大多数的集成电路有使用MOS或者CMOS结构。

制版技术方面的关键技术的光刻技术，光刻技术最初被使用在照相术上面，上世纪五十年代末被应用到半导体技术中，仙童公司巧妙地使用光刻技术实现了集成电路的图形结构。使用光刻技术制造的器件相互连接时可以不使用手工焊接技术，而是采用真空金属蒸发技术，使用光刻技术实现电路的绘制。近年来，随着光刻技术的发展，光刻技术的加工精度已经达到超深亚微米数量级。

电路设计方面。1971年，Intel公司第一台微处理器的发明是集成电路技术对人类做出的最大贡献之一，微处理器的发明开辟了计算机时代的新纪元。微处理器的发明带动了以CMOS为基础的超大规模集成电路系统的发展，也带动了智能化电子产品的飞速发展，是信息技术的基础原件和实物载体。近年来，随着集成电路技术的发展，科学家将量子隧穿效应技术应用到集成电路领域，推动了信息化社会的进程。

工艺材料方面。随着材料科学的不断发展，很多新材料技术和新物力技术不断地被应用到集成电路领域当中，铁电存储器和磁阻随机存储器就是其中的代表。当前集成电路技术的发展突显出一些新的特征，主要表现在从一维向多维发展，向材料技术、微电子技术、器件技术以及物理技术提出了更高的要求，集成电路的发展也正因为如此遭遇瓶颈，物理规律的限制、材料科学的限制、技术手法的限制。不过与此同时，宽禁带的SiC、GaN以及AIN等材料击穿电压值高、禁带值高、抗辐射性能好，应经被广泛应用，所制造器件在高频工作状态、高温状态以及大功率状态下性能优异，是集成电路的发展方向。

五、结语

集成电路是上世纪人类社会最伟大的发明之一，集成电路的广泛应用不断地推动着科技的进步，也不断地改变着人类的生活。本文系统分析了集成电路的原理，列举了几种常见集成电路，并对集成电路的发展进行了讨论和研究。

参考文献

[1]张允炆.半导体技术[M].哈尔滨工业大学出版社,2004.

[2]李祁镇.集成电路概述[M].北京:清华大学出版社,2003.

[3]韩周子.数字集成电路概述[M].西安:西安电子科技大学出版社,2004.

[4]方寒.浅谈集成电路的发展[M].中国科技纵横,2003.

作者简介：

集成电路范文第4篇

中国集成电路测试产业投资咨询报告

报告属性

【报告名称】中国集成电路测试产业投资咨询报告

【报告性质】专项调研：需方可根据需求对报告目录修改，经双方确认后签订正式协议。

【关键词】集成电路测试产业投资咨询

【制作机关】中国市场调查研究中心

【交付方式】电子邮件特快专递

【报告价格】协商定价（纸介版、电子版）

【定购电话】010-68452508010-88430838

报告目录

一、集成电路测试概述

(一)集成电路测试产业定义、基本概念

(二)集成电路测试基本特点

(三)集成电路测试产品分类

二、集成电路测试产业分析

(一)国际集成电路测试产业发展总体概况

1、本产业国际现状分析

2、本产业主要国家和地区情况

3、本产业国际发展趋势分析

4、2007国际集成电路测试发展概况

(二)我国集成电路测试产业的发展状况

1、我国集成电路测试产业发展基本情况

2、集成电路测试产业的总体现状

3、集成电路测试行业发展中存在的问题

4、2007我国集成电路测试行业发展回顾

三、2007年中国集成电路测试市场分析

(一)我国集成电路测试整体市场规模

1、总量规模

2、增长速度

3、各季度市场情况

(二)我国集成电路测试市场发展现状分析

(三)原材料市场分析

(四)集成电路测试区域市场分析

(五)集成电路测试市场结构分析

1、产品市场结构

2、品牌市场结构

3、区域市场结构

4、渠道市场结构

四、2007年中国集成电路测试市场供需监测分析

(一)需求分析

1、产品需求

2、价格需求

3、渠道需求

4、购买需求

(二)供给分析

1、产品供给

2、价格供给

3、渠道供给

4、促销供给

(三)市场特征分析

1、产品特征

2、价格特征

3、渠道特征

4、购买特征

五、2007年中国集成电路测试市场竞争格局与厂商市场竞争力评价

(一)竞争格局分析

(二)主力厂商市场竞争力评价

1、产品竞争力

2、价格竞争力

3、渠道竞争力

4、销售竞争力

5、服务竞争力

6、品牌竞争力

六、影响2007-2010年中国集成电路测试市场发展因素

(一)有利因素

(二)不利因素

(三)政策因素

七、2007-2010年中国集成电路测试市场趋势预测

(一)产品发展趋势

(二)价格变化趋势

(三)渠道发展趋势

(四)用户需求趋势

(五)服务发展趋势

八、2008年集成电路测试市场发展前景预测

(一)国际集成电路测试市场发展前景预测

1、国际集成电路测试产业发展前景

2、2010年国际集成电路测试市场的发展预测

3、世界范围集成电路测试市场的发展展望

(二)中国集成电路测试市场的发展前景

1、市场规模预测分析

2、市场结构预测分析

(三)我国集成电路测试资源配置的前景

(四)集成电路测试中长期预测

1、2007－2010年经济增长与集成电路测试需求预测

2、2007－2010年集成电路测试行业总产量预测

3、我国中长期集成电路测试市场发展策略预测

九、中国主要集成电路测试生产企业(列举)

十、国内集成电路测试主要生产企业盈利能力比较分析

(一)2003-2007年集成电路测试行业利润总额分析

1、2003-2007年行业利润总额分析

2、不同规模企业利润总额比较分析

3、不同所有制企业利润总额比较分析

(二)2003-2007年集成电路测试行业销售毛利率分析

(三)2003-2007年集成电路测试行业销售利润率分析

(四)2003-2007年集成电路测试行业总资产利润率分析

(五)2003-2007年集成电路测试行业净资产利润率分析

(六)2003-2007年集成电路测试行业产值利税率分析

十一.2008中国集成电路测试产业投资分析

(一)投资环境

1、资源环境分析

2、市场竞争分析

3、税收政策分析

(二)投资机会

(三)集成电路测试产业政策优势

(四)投资风险及对策分析

(五)投资发展前景

1、集成电路测试市场供需发展趋势

2、集成电路测试未来发展展望

十二、集成电路测试产业投资策略

(一)产品定位策略

1、市场细分策略

2、目标市场的选择

(二)产品开发策略

1、追求产品质量

2、促进产品多元化发展

(三)渠道销售策略

1、销售模式分类

2、市场投资建议

(四)品牌经营策略

1、不同品牌经营模式

2、如何切入开拓品牌

(五)服务策略

十三、投资建议

(一)集成电路测试产业市场投资总体评价

(二)集成电路测试产业投资指导建议

十四、报告附件

(一)规模以上集成电路测试行业经营企业通讯信息库(excel格式)

主要内容为：法人单位代码、法人单位名称、法定代表人(负责人)、行政区划代码、通信地址、区号、电话号码、传真号码、邮政编码、电子邮箱、网址、工商登记注册号、编制登记注册号、登记注册类型、机构类型……

(二)规模以上集成电路测试经营数据库(excel格式)

主要内容为：主要业务活动(或主要产品)、行业代码、年末从业人员合计、全年营业收入合计、资产总计、工业总产值、工业销售产值、工业增加值、流动资产合计、固定资产合计、主营业务收入、主营业务成本、主营业务税金及附加、其他业务收入、其他业务利润、财务费用、营业利润、投资收益、营业外收入、利润总额、亏损总额、利税总额、应交所得税、广告费、研究开发费、经营活动产生的现金流入、经营活动产生的现金流出、投资活动产生的现金流入、投资活动产生的现金流出、筹资活动产生的现金流入、筹资活动产生的现金流出……

十五、报告说明

(一)报告目的

(二)研究范围

(三)研究区域

(四)数据来源

(五)研究方法

(六)一般定义

(七)市场定义

(八)市场竞争力指标体系

(九)市场预测模型

(十)特别说明

集成电路范文第5篇

1、申请数量和趋势分析

图1：我国集成电路专利申请情况

图2：无锡市集成电路专利申请情况

分析： 近五年来，我国集成电路专利申请量大体上保持持续增长的态势（图1），但增幅不大，从2006年626件申请量增长到2010年747件申请量，以年均4.5%的增幅递增，其中2006年到2007年申请量增幅最大，达到12.9%。参考其它制造业领域，大部分行业2007年专利申请量均有较大增幅，原因可能在于2007年相关政策的刺激。需要特别指出的是，2008年至2009年的曲线下降可能是来源于中国专利的早期公开延迟审查，所以不能作为专利申请趋势的判定依据。无锡市集成电路专利申请量较少（图2），2006―2010五年的申请总量仅为全国申请总量的1%左右，但增幅较大，年均增幅达56.5%。

2、专利类型分析（总量）

分析：从集成电路专利类型来看，国内该技术领域发明专利总量5944件，占比85%，而实用新型和外观设计则占比很少，说明该技术领域的技术含量较高。而对照无锡市集成电路专利类型分布图，发现发明专利总量仅为31件，占比仅为54%，与全国平均水平相比有较大差距，技术含量较低，有待于继续提高技术开发能力，加强集成电路方面的科技创新研究。

3、国省分布状况分析

分析：根据我国集成电路专利申请量排名情况来看，排名前十位企业中无一家大陆企业，日资企业6家、台资企业1家、韩国企业1家、美国企业1家、荷兰企业1家，可见国内企业在技术实力和研发能力上与外资台资企业相比有较大差距。我国企业在集成电路领域的技术竞争上缺乏壁垒优势，阵地薄弱，还没有形成规模，技术含量也不高，需要进一步提高技术开发能力。

无锡市在集成电路领域的专利申请量大部分来自“创立达科技”、“五十八研究所”、“中微高科”和“友达电子”，技术分布比较零散，没有形成集中技术优势的企业。

分析总结

根据我国集成电路专利申请量排名情况来看，排名前十位企业中无一家大陆企业，关键技术全部掌握在外资企业手中。无锡市在该领域的专利技术分布比较零散，还没有形成较大规模，只能说还在起步探索阶段。

从整体申请情况趋势分析看，无锡的集成电路专利申请量仅占全国的1%左右，差距非常悬殊，且技术含量较低，发明专利占比仅为54%，与全国平均水平相比有较大差距，前景堪忧，自主研发能力比较薄弱，有待于继续提高技术开发能力，加强集成电路方面的科技创新研究。

集成电路范文第6篇

关键词：555集成电路；工作原理；电路分析

浙江省教育改革走在全国前列，从2014届开始，通用技术中的《电子控制技术》作为高考的选考内容，这对于全省通用技术教师教学来说是个严峻的挑战。大多数教师不是电子技术专业出身，有些从物理教师转行过来，更甚的是从生物、化学、文科等教师中转行过来，对电子技术专业知识相当的匮乏，且现使用的苏教版《电子控制技术》教材，没有经过教学实践检验，所以教材中有些错误的内容没有订正。这样情况下，我们有必要对555集成电路有全面的正确认识，并能分析其在电路中的工作原理和实际应用。

一、555集成电路命名规则和常见封装形式

555集成电路芯片的生产厂家众多，常见的有NE555、CA555、MC7555、CB7555.那它们的命名规则是怎样的呢？

如果用TTL工艺制作的称为双极型集成电路，用CMOS工艺制作的称为CMOS集成电路。所有双极型集成电路型号最后3位数码都是555；所有CMOS产品型号最后4位数码都命名为7555；如果一个芯片上集成两个555并共用一组电源叫双定时器。双极型双定时器产品命名为556；CMOS双定时器命名为7556。双极型和CMOS型555定时器的功能和外部引脚的排列完全相同。

双极型的555集成电路工作电压为4.5V―15V，第3脚输出（驱动电流）可达200mA，可直接驱动小型继电器，但缺点是静态电流也偏大。

CMOS型的7555集成电路工作电压2―18V，静态电流很小，只有80uA，特别适合于使用电池、低电源电压场合。但7555的第3脚驱动电流很小，只有1mA，不能直接驱动继电器，需要通过三极管的放大来驱动继电器。

二、555芯片等效电路结构及工作原理

（1）555等效功能电路图。

虽然很多半导体器件公司都生产各自型号的555集成电路，但其内部电路大同小异，且都具有相同的引脚功能端。

555集成电路内部等效电路图

555集成电路由3个阻值为5kΩ的电阻组成的分压器（555由此得名）、两个电压比较器C1和C2、基本RS触发器、放电三极管TD和缓冲反相器G3组成。虚线边沿标注的数字为管脚号。其中1脚为接地端；2脚为低电平触发端，由此输入低电平触发脉冲；6脚为高电平触发端，由此输入高电平触发脉冲；4脚为复位端，输入负脉冲（或使其电压低于0.7V）可使555定时器直接复位；5脚为电压控制端，在此端外加电压可以改变比较器的参考电压，不用时，经0.01uF的电容接地，以防止引入干扰；7脚为放电端，555定时器输出低电平时，放电晶体管TD导通，外接电容元件通过TD放电；3脚为输出端，输出高电压约低于电源电压1V―3V，输出电流可达200mA，因此可直接驱动继电器、发光二极管、指示灯等；8脚为电源端，可在5V―15V范围内使用。

（2）555集成电路工作原理分析

5脚经0.01uF电容接地，以防止引入干扰；比较器C1比较电压为2/3VCC，C2的比较电压为1/3VCC。

①当R（__）=0时，Q（__）=1，uo=0，T饱和导通。

②当R（__）=1、UTH>2VCC/3、UTR（____）>VCC/3时，C1=0、C2=1，Q（__）=1、Q=0，uo=0，T饱和导通。

③当R（__）=1、UTHVCC/3时，C1=1、C2=1，Q（__）、Q不变，uo不变，T状态不变。

④当R（__）=1、UTH

三、教材555电路案例分析

案例1.鸡蛋孵化温度控制器的设计电路图如下（教材P99页）

对于这个电路图根据我们之前对555原理的分析，发现教材对该电路的设计和分析有错误：

（1）图中三个箭头处应加上圆点，表示电路是连接的。

（2）将 CB7555 改为 NE555，因CB7555 是 CMOS 型的集成电路，输出电流只有1mA，驱动能力不够。NE55是双极型集成电路，能输出200mA，能直接驱动继电器。

（3）文字描述有误。这里的 555 是工作于双稳态。

把热敏电阻Rt1放入盛有37℃的水的烧杯中，调节可变电阻Rp1，使NE555的2脚电压低于VCC/3，6脚的电压低于2VCC/3，3脚输出高电平，点亮V1，继电器触点J-1闭合，电热器开始加热。

案例2 555电路组成的水箱闭环电子控制系统电路图（教材P104页）

电路分析如下：

当水位低于b点时，555电路中的AC和BC都断开，所以2脚和6脚输入都是低电平，由555逻辑功能表分析可知，3脚输出高电平，V4饱和导通，继电器J吸合，电动机M工作抽水。由于3脚高电平，所以V1导通，打水指示灯亮。7脚输出状态是高电平V2截止，有水指示灯不亮。

电动机M抽水时，水位上升，如果在ab之间，相当于BC导通，AC断开，则2脚输入为高电平（大于VCC/3），6脚为低电平（小于2VCC/3），由555逻辑功能表分析可知，3脚输出状态不变，由原来的状态决定，即3脚输出高电平，V4饱和导通，继电器J吸合，电动机M还是继续工作抽水；由于3脚高电平，所以V1导通，打水指示灯亮。7脚输出状态是高电平V2截止，有水指示灯不亮。

当水位到达a时，AC接通，6脚主电平（大于2VCC/3），则3脚和7脚输出低电平，则V4和V1截止，继电器J断开，电动机M停止抽水，V1打水指示灯灭。由于7脚低电平，则V2导通，则有水指示灯亮。

当水位下降时，AC断开，BC接通，则6脚输入是低电平（小于2VCC/3），而2脚输入是高电平（大于VCC/3），3脚输出状态保持不变，即输出为低电平，抽水机不工作。

当水位下降到b时，电路工作情况跟（1）一样，抽水机又工始工作，又重复前面的周期运行情况。

以上是对教材两例的纠错和电路原理分析，但555电路的应用有很多种，如接成单稳态电路，可用在555触摸定时开关和定时器；还可以外接电容器，组成多谐振荡器，我们教师首先掌握555电路等效功能电路和基本的逻辑关系，对于实际电路也可以通过上面例子的分析方法，相信一定能理解其他555电路工作原理的，在电子控制技术教学中会更加得心应用，心中有底气。

参考文献：

[1]顾建军.电子控制技术[M].江苏凤凰教育出版社.2004：99-100，104.

集成电路范文第7篇

集成电路(Ic)的静电放电(ESD)强固性可藉多种测试来区分。最普遍的测试类型是人体模型(HBM)和充电器件模型(CDM)。这两种EsD测试类型旨在揭示包含基本EsD控制的制造环境下，电路在EsD应力下的存续情况如何。HBM是应用最久的EsD测试，但工厂EsD控制专家普遍认为，在现代高度自动化的组装运营中，CDM是更重要的ESD测试。CDM应力的大小会随着器件的尺寸而变化。有关CDM的“传统智慧”更认为不需要测试尺寸极小的集成电路，因为峰值电流快速变小直至消失。我们在此前的文童中曾指出，极小器件的峰值电流并不像通常认为的那样快速变小直至消失。高速示波器测量显示，即使脉冲宽度变得很窄，极小器件的峰值电流仍令人吃惊地保持高电平。过去，由于这些大峰值电流被忽略，因为使用了场致CDM测试标准所提倡的1GHz示波器，而场致CDM测试是最普及的CDM测试形式。

测试小器件时面临的问题

观测到极小集成电路超出预料的峰值电流，对负责测试极小器件(尺寸仅为较小的个位数毫米等级)的ESD测试工程师而言可不是什么好消息。图1显示了置于场致CDM测试装置上的8球栅(ball)芯片级封装。必须接触每个被测引脚的探针(的尺寸)占到整个集成电路尺寸的不小比例。显而易见，移动被测器件并不需要太多的探针接触：只是要求反复调整器件的位置。

在场致CDM测试期间、按惯例要使用真空来固持(hoId)被测器件(DUT)的位置。真空通常不能非常安全地固持极小的器件。此外，真空孔(的截面积)占到被测器件尺寸的不小比例，可能会影响器件应力。当真空孔尺寸超过被测器件面积的18％时，应力的大小就开始下降。图2比较了置于真空孔与不置于真空孔上的器件在峰值电流或完整电荷(total charge)条件下测量得到的应力大小。

在CDM测试期间使用真空来固持器件，由此带来两个问题。首先，它不起作用，即便起作用，也会开始影响测试结果。业界已经尝试使用两种方法来改善小器件的可测试性――将小封装贴在某类夹具(holder)上，或以支撑结构或模板来固持器件的位置。

使用夹具固持小器件

已经在三种条件下使用6uSMD裸片来进行cDM测试：仅器件本身、器件贴装在14DIP转换板上，以及在36LLP替代板(Surrogate Board)上，如图3所示。图4显示了这三种条件下以500 v电压采用8 GHz示波器所获得的CDM测试波形。这些结果显示，贴装在电路板上会增加施加给集成电路的应力。36LLP替代板上应力的增加颇为适度，可以视为易于操作性与更可靠测试结果之间的最佳折衷。贴装在14DIP转换板上的应力增加更为严重，大概不是一个可接受的折衷办法。好消息是36LLP替代板实际上比测试期间会移动的14DIP转换板更易于操作。

支持模板

第二种处理小型集成电路的方法是使用支持模板。业界存在关于支持模块这种方法的顾虑：由于小器件周围有介电常数较高的材料，介电的存会在多大程度上改变集成电路与场板(6ddplate)之间的电容?被测器件与场板之间的电容是被测器件上应力大小的决定因素。图s显示了固定在CDM装置中一个模板内的6usMD封装。此时被测器件位于绝缘体中精心加工的孔，而绝缘于cDM装置使用真空的场板中。图6显示了6LLP封装使用与不使用FR4支持模板时以8GHz示波器捕获的波形。此图显示这模板在测试条件下仅为集成电路增加极小的应力。

结论

集成电路范文第8篇

[关键词]集成电路；失效分析；技术

中图分类号：TN43 文献标识码：A 文章编号：1009-914X（2014）24-0105-01

1.集成电路失效分析步骤

集成电路的失效分析分为四个步骤。在确认失效现象后，第一步是开封前检查。在开封前要进行的检查都是无损失效分析。开封前会进行外观检查、X光检查以及扫描声学显微镜检查。第二步是打开封装并进行镜检。第三步是电性分析。电性分析包括缺陷定位技术、电路分析以及微探针检测分析。第四步是物理分析。物理分析包括剥层、聚焦离子束（FIB）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）以及VC定位技术。通过上述分析得出分析结论，完成分析报告，将分析报告交给相关技术人员。相关技术人员根据相应的缺陷进行改进，以此来实现对集成电路失效分析的意义。

2.无损失效分析技术

所谓无损失效分析，就是在不损害分析样品，不去掉芯片封装的情况下，对该样品进行失效分析。无损失效分析技术包括外观检查、X射线检查和扫描声学显微镜检查。在外观检查中，主要是凭借肉眼检查是否有明显的缺陷，如塑脂封装是否开裂，芯片的管脚是否接触良好等等。X射线检查则是利用X射线的透视性能对被测样品进行X射线照射，样品的缺陷部分会吸收X射线，导致X射线照射成像出现异常情况。X射线检测主要是检测集成电路中引线损坏的问题，根据电子器件的大小及电子器件构造情况选择合适的波长，这样就会得到合适的分辨率。而扫描声学显微镜检测是利用超声波探测样品内部的缺陷，主要原理是发射超声波到样品内部，然后由样品内部返回。根据反射时间以及反射距离可以得到检测波形，然后对比正常样品的波形找出存在缺陷的位置。这种检测方法主要检测的是由于集成电路塑封时水气或者高温对器件的损坏，这种损坏常为裂缝或者是脱层。相对于有损失效分析方法的容易损坏样品、遗失样品信息的缺点，无损失效分析技术有其特有的优势，是集成电路失效分析的重要技术。

3.有损失效分析技术

3.1 打开封装

有损失效分析首先是对集成电路进行开封处理，开封处理要做到不损坏芯片内部电路。根据对集成电路的封装方式或分析目的不同，采取相应的开封措施。方法一是全剥离法，此法是将集成电路完全损坏，只留下完整的芯片内部电路。缺陷是由于内部电路和引线全部被破坏，将无法进行通电动态分析。方法二是局部去除法，此法是利用研磨机研磨集成电路表面的树脂直到芯片。优点是开封过程中不损坏内部电路和引线，开封后可以进行通电动态分析。方法三是全自动法，此法是利用硫酸喷射来达到局部去除法的效果。

3.2 电性分析

3.2.1 缺陷定位

定位具体失效位置在集成电路失效分析中是一个重要而困难的项目，只有在对缺陷的位置有了明确定位后，才能继而发现失效机理以及缺陷的特性。缺陷定位技术的应用是缺陷定位的关键。Emission显微镜技术、OBIRCH（Optical Beam Induce Resistance Change）技术以及液晶热点检测技术为集成电路失效分析提供了快捷准确的定位方法。Emission显微镜具有非破坏性和快速精准定位的特性。它使用光子探测器来检测产生光电效应的区域。由于在硅片上发生损坏的部位，通常会发生不断增长的电子-空穴再结合而产生强烈的光子辐射。因而这些区域可以通过Emission显微镜技术检测到。OBIRCH技术是利用激光束感应材料电阻率变化的测试技术。对不同材料经激光束扫描可测得不同的材料阻值的变化；对于同一种材料若材料由于某种因素导致变性后，同样也可测得这一种材质电阻率的变化。我们就是借助于这一方法来探测金属布线内部的那些可靠患。液晶热点检测是一种非常有效的分析手段，主要是利用液晶的特性来进行检测。但液晶热点检测技术的要求较高，尤其是对于液晶的选择，只有恰当的液晶才能使检测工作顺利进行。液晶热点检测设备一般由偏振显微镜、可以调节温度的样品台以及控制电路构成。在由晶体各向异性转变为晶体各向同性时所需要的临界温度的能量要很小，以此来提高灵敏度。同时相变温度应控制在30-90摄氏度的可操作范围内，偏振显微镜要在正交偏振光下使用，这样可以提高液晶相变反应的灵敏度。

3.2.2 电路分析

电路分析就是根据芯片电路的版图和原理图，结合芯片失效现象，逐步缩小缺陷部位的电路范围，最后是利用微探针检测技术来定位缺陷器件，从而达到对于缺陷器件定位的要求。

3.2.3 微探针检测技术

微探针的作用是测量内部器件上的电参数值，如工作点电压、电流、伏安特性曲线等。微探针检测技术一般是伴随电路分析配合使用的，两者的结合可以较快的搜寻失效器件。

3.3 物理分析

3.3.1 聚焦离子束（FIB）

聚焦离子束就是利用电透镜将离子束聚焦成为微小尺寸的显微切割器，聚焦离子束系统由离子源、离子束聚焦和样品台组成。聚焦离子束的主要应用是对集成电路进行剖面，传统的方法是手工研磨或者是采用硫酸喷剂，这两种方法虽然可以得到剖面，但是在日益精细的集成电路中，手工操作速度慢而且失误率高，所以这两种方法显然不适用。聚焦离子束的微细精准切割结合扫描电子显微镜高分辨率成像就可以很好的解决剖面问题。聚焦离子束对被剖面的集成电路没有限制，定位精度可以达到0.1um以下，同时剖面过程中集成电路受到的应力很小，完整地保存了集成电路，使得检测结果更加准确。

3.3.2 扫描电子显微镜（SEM）

扫描电子显微镜作为一种高分辨率的微观仪器，在集成电路的失效分析中有着很好的运用。扫描电子显微镜是由扫描系统和信号检测放大系统组成，原理是利用聚焦的电子束轰击器件表面从而产生许多电子信号，将这些电子信号放大作为调制信号，连接荧光屏便可得到器件表面的图像。对于不同层次的信号采集可以选用不同的电子信号，那样所得到的图像也将不同。

3.3.3 透射电子显微镜（TEM）

透射电子显微镜的分辨率可以达到0.1nm，其大大优于扫描电子显微镜。集成电路的器件尺寸在时代的发展中变得越来越小，运用透射电子显微镜可以更好的研究产品性能，在集成电路失效分析中，透射电子显微镜可以清晰地分析器件缺陷。透射电子显微镜将更好地满足集成电路失效分析对检测工具的解析度要求。

3.3.4 VC定位技术

前文讲述的利用Emission/OBIRCH/液晶技术来定位集成电路中的失效器件，在实际应用过程中热点的位置往往面积偏大，甚至会偏离失效点几十个微米，这就需要一种更精确的定位技术，可以把失效范围进一步缩小。VC（VoltageContrast）定位技术基于SEM或FIB，可以把失效范围进一步缩小，很好地解决了这一难题。VC定位技术是利用SEM或者FIB的一次电子束或离子束在样品表面进行扫描。硅片表面不同部位具有不同电势，表现出来不同的明亮对比度。VC定位技术可以通过检测不同的明亮对比度，找出异常亮度的点，从而定位失效点的位置。

4.总结

我们认识了常用的集成电路失效分析技术和方法，而更深刻地了解各种技术的应用还需要在实际的分析工作当中积累经验，再认识再提高。

参考文献

集成电路范文第9篇

2017年中国“两会”通过的《政府工作报告》中指出：全面实施战略性新兴产业发展规划，加快人工智能、集成电路、第五代移动通信等技术研发和转化，做大做强产业集群。紫光集团作为中国集成电路产业的龙头骨干企业，一直致力于自主芯片的全产业链布局和市场化突破。

近年来，紫光集团的收购步伐不断加快，收购的领域从半导体、移动通信到存储等领域，地域也从中国大陆到台湾地区，再到大洋彼岸。分别将展讯、锐迪科、新华三招入麾下，还与台湾南茂和力成签订了股权交易协议。

同时，凭借自主创新与国际合作的双轮驱动战略，紫光集团完成从“芯”到“云”的产业架构，在移动通信芯片领域跻身世界前三位，并相继在武汉、南京等地投入巨资建设先进存储器和半导体制造基地，立志推动中国集成电路产业在全球竞争中的强势崛起，为中国乃至全球互联网产业提供基础产品、关键技术和服务。

此次国开行、华芯投资和紫光集团的签约，以产融结合的模式进一步促进中国集成电路产业资源的集中与整合，精准有力地推动产业加速发展。紫光集团将充分发挥龙头企业的产业引领作用，积极促进产业链向上下游协同发展，不断增强企业国际竞争能力和盈利水平，促进国内集成电路产业做大做强。

根据Gartner的统计数据，2016上半年，中国集成电路产业销售额为1847.1亿元，同比增长16.1%。在这其中，设计业销售额为685.5亿元，同比增长24.6%。2016全年，行业销售收入预计为1518.5亿元，比2015年增长23.04%。

在欧美日等市场都面临产业萎缩的情况下，全球半导体巨头之间的较量将会在中国市场拉开。鹿死谁手，我们且拭目以待。

在相关政策及有关部门的力推之下，紫光的扩张之路义无反顾，但是前途依然凶险。紫光集团的目标是：力争成为一家世界级的芯片巨头，用五年左右时间超过联发科，成为世界范围内，行业排名第二、出货量第一的IC设计公司。

但紫光的竞争对手也异常大，相关数据显示，2014年高通收入约为200亿美元，联发科超过50亿美元，二者已先后把博通、日本瑞萨电子、爱立信等国际芯片巨头挤出通信芯片市场。

集成电路范文第10篇

本报告通过深入调查分析，把握行业目前所处的全球和国内宏观经济形势，具体分析该产品所在的细分市场，对通用集成电路测试系统行业总体市场的供求趋势及行业前景做出判断；明确目标市场、分析竞争对手，了解产品定位，把握市场特征，发掘价格规律，创新营销手段，提出通用集成电路测试系统行业市场进入和市场开拓策略，对行业未来发展提出可行性建议。

报告属性

【报告性质】专题调研

【报告名称】

2009-2010年中国通用集成电路测试系统产业专题调查分析报告

【表述方式】文字分析、数据比较、统计图表浏览

【交付周期】3—5个工作日

【报告价格】8900元

【制作机关】中国市场调查研究中心

【定购电话】

86-10-88430838(刘老师)88864829(高老师)88864539(云老师)88893867(姜老师)

【传真】86-10-68450238合同下载

报告目录

第一章通用集成电路测试系统产业市场基本情况分析

第一节市场发展环境分析（宏观经济环境、产业市场政策……）

一、2009年我国宏观经济运行情况

二、我国宏观经济发展运行趋势

三、市场相关政策及影响分析

1、全球经济危机对中国宏观经济的消极影响

2、全球经济危机对通用集成电路测试系统行业的消极影响

3、全球经济危机对上下游产业的消极影响

4、中国扩大内需保增长的政策解析

5、行业未来运行环境总述

第二节产业市场基本特征（定义分类或产业市场特点、发展历程、市场重要动态……）

一、市场界定及主要产品

二、市场在国民经济中的地位

三、市场特性分析

四、市场发展历程

五、国内市场的重要动态

第三节产业市场发展情况（现状、趋势、市场重要动态……）

一、市场国际现状分析

二、市场主要国家情况

三、市场国际发展趋势分析

四、国际市场的重要动态

第二章2009年我国通用集成电路测试系统产业市场经济运行情况

第一节2009年我国产业市场发展基本情况（现状、技术、产业市场运行特点……）

一、市场发展现状分析

二、市场特点分析

三、市场技术发展状况

第二节我国本产业市场存在问题及发展限制（主要问题与发展受限、基本应对的策略……）

第三节市场上、下游产业发展情况（上、下游产业对本产业市场的影响）

一、市场上游产业

二、市场下游产业

第四节2006年-2009年产业市场企业数量分析（近年内企业数量的变化情况以及各类型企业的数量变化……）

一、2006-2009年企业及亏损企业数量

二、不同规模企业数量

三、不同所有制企业数量分析

第五节2006年-2009年从业人数分析（近年内从业人员的变化情况以及各类型企业的数量变化……）

一、不同规模企业从业人员分析

二、不同所有制企业比较

第六节本产业市场进出口状况分析（本产业市场内主要产品进出口情况）

第三章2009年我国通用集成电路测试系统产业市场生产状况分析

第一节2006年-2009年市场工业总产值分析

一、2006-2009年市场工业总产值分析

二、不同规模企业工业总产值分析

三、不同所有制企业工业总产值比较

四、2009年工业总产值地区分布

五、2009年总产值前20位企业对比

第二节2006年-2009年市场产成品分析（产成品、产成品区域市场）

一、2006-2009年产业市场产成品分析

二、不同规模企业产成品分析

三、不同所有制企业产成品比较

四、2009年产业市场产成品地区分布

第三节2006年-2009年本产业市场产成品资金占用率分析

第四章2009年我国通用集成电路测试系统产业市场销售状况分析

第一节2006年-2009年市场销售收入分析（产品销售收入、不同规模的企业销售收入、不同企业类型的销售收入）

一、2006-2009年产业市场总销售收入分析

二、不同规模企业总销售收入分析

三、不同所有制企业总销售收入比较

第二节2009年本产业市场产品销售集中度分析

一、按企业分析

二、按地区分析

第三节2006年-2009年本产业市场销售税金分析

一、2006-2009年产业市场销售税金分析

二、不同规模企业销售税金分析

三、不同所有制企业销售税金比较

第五章2009年我国通用集成电路测试系统产业市场成本费用分析（销售成本、销售费用、管理费用、财务费用、成本费用利润率……）

第一节2006-2009年市场产品销售成本分析

一、2006-2009年产业市场销售成本总额分析

二、不同规模企业销售成本比较分析

三、不同所有制企业销售成本比较分析

第二节2006-2009年市场销售费用分析

一、2006-2009年产业市场销售费用总额分析

二、不同规模企业销售费用比较分析

三、不同所有制企业销售费用比较分析

第三节2006-2009年市场管理费用分析

一、2006-2009年产业市场管理费用总额分析

二、不同规模企业管理费用比较分析

三、不同所有制企业管理费用比较分析

第四节2006-2009年市场财务费用分析

一、2006-2009年产业市场财务费用总额分析

二、不同规模企业财务费用比较分析

三、不同所有制企业财务费用比较分析

第五节2006-2009年市场成本费用利润率分析

第六章2009年我国通用集成电路测试系统产业市场资产负债状况分析（总资产、固定资产、总负债、流动资产、应收账款、资产负债率……）

第一节2006-2009年市场总资产状况分析

一、2006-2009年产业市场总资产分析

二、不同规模企业资产规模比较分析

三、不同所有制企业总资产比较分析

四、总资产规模前20位企业对比

第二节2006-2009年市场固定资产状况分析

一、2006-2009年产业市场固定资产净值分析

二、不同规模企业固定资产净值分析

三、不同所有制企业固定资产净值分析

第三节2006-2009年市场总负债状况分析

一、2006-2009年产业市场总负债分析

二、不同规模企业负债规模比较分析

三、不同所有制企业总负债比较分析

第四节2006-2009年市场流动资产总额分析

一、2006-2009年产业市场流动资产总额分析

二、不同规模企业流动资产周转总额比较分析

三、不同所有制企业流动资产周转总额比较分析

第五节2006-2009年市场应收账款总额分析

一、2006-2009年产业市场应收账款总额分析

二、不同规模企业应收账款总额比较分析

三、不同所有制企业应收账款总额比较分析

第六节2006-2009年市场资产负债率分析

第七节2006-2009年市场周转情况分析

一、2006-2009年总资产周转率分析

二、2006-2009年流动资产周转率分析

三、2006-2009年应收账款周转率分析

四、2006-2009年流动资产周转次数

第八节2006-2009年市场资本保值增值率分析

第七章2009年我国通用集成电路测试系统产业市场盈利能力分析（利润总额、销售毛利率、总资产利润率、净资产利润率……）

第一节2006-2009年市场利润总额分析

一、2006-2009年产业市场利润总额分析

二、不同规模企业利润总额比较分析

三、不同所有制企业利润总额比较分析

第二节2006-2009年销售毛利率分析

第三节2006-2009年销售利润率分析

第四节2006-2009年总资产利润率分析

第五节2006-2009年净资产利润率分析

第六节2006-2009年产值利税率分析

第八章2009年我国通用集成电路测试系统产业市场经济运行最好水平分析（资本保值增值率、资产负债率、产值利税率、资金利润率……）

第一节2006-2009年资本保值增值率最好水平

第二节2006-2009年资产负债率最好水平

第三节2006-2009年产值利税率最好水平

第四节2006-2009年资金利润率最好水平

第五节2006-2009年流动资产周转次数最好水平

第六节2006-2009年成本费用利润率最好水平

第七节2006-2009年人均销售率最好水平

第八节2006-2009年产成品资金占用率最好水平

第九章2009年我国通用集成电路测试系统产业市场重点企业竞争状况分析（产业市场按销售收入前10企业）

第一节2009年企业地区分布

第二节销售收入前10名企业竞争状况分析

一、企业基本情况

（法人单位名称、法定代表人、省、主要业务活动、从业人员合计、全年营业收入、资产总计、工业总产值、工业销售产值、出货值、工业增加值、产成品）

二、企业资产负债分析

（企业资产、固定资产、流动资产合计、流动资产年平均余额、负债合计、流动负债合计、长期负债合计、应收帐款）

三、企业经营费用分析

（营业费用、管理费用、其中：税金、财务费用、利税总额）

四、企业收入及利润分析

（主营业务收入、主营业务成本、主营业务税金及附加、其他业务收入、其他业务利润、营业利润、利润总额）

五、企业营业外支出分析

（广告费、研究开发费、劳动、失业保险费、养老保险和医疗保险费、住房公积金和住房补贴、应付工资总额、应付福利费总额、应交增值税、进项税额、销项税额）

六、企业工业中间投入及现金流分析

（工业中间投入合计、直接材料投入、加工费用中的中间投入、管理费用中的中间投入、营业费用中的中间投入、经营活动产生的现金流入、流出、投资活动产生的现金流入、流出、筹资活动产生的现金流入、流出）

第十章2009年我国通用集成电路测试系统产业市场营销及投资分析

第一节本产业市场营销策略分析及建议

一、产业市场营销策略分析

二、企业营销策略发展及建议

第二节本产业市场投资环境分析及建议

一、投资环境分析

二、投资风险分析

三、投资发展建议

第三节本产业市场企业经营发展分析及建议

一、产业市场企业发展现状及存在问题

二、产业市场企业应对策略

第十一章2010-2013年我国通用集成电路测试系统产业市场发展趋势分析

第一节未来本产业市场发展趋势分析（产业市场发展趋势、技术发展趋势、市场发展趋势……）

一、未来发展分析

二、未来技术开发方向

三、总体产业市场“十一五”整体规划及预测

第二节2010-2013年本产业市场运行状况预测（工业总产值、销售收入、利润总额、总资产）

一、2010-2013年工业总产值预测

二、2010-2013年销售收入预测

三、2010-2013年利润总额预测