2010 TOP-10 DC/DC获奖产品

1/4砖DC/DO电源模块PKM5000D

PKM5000D是一个1/4砖DC/DC电源模块，输入电压的范围是18～75V，输出电压是24V或者48V。对于使用24V或者48V电池供电的应用，设计者能够很轻松地使用本产品为其设计多总线电压板，从而简化管理并降低成本。PKM5000D能够提供120W的功率，相比同类产品要高出20％。通过使用外部电阻，本产品的输出电压可调至10 8～13.2V。PKM5000D有高温、限流、高压三种保护模式。

上海爱立信电子有限公司

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MLP封装的25V MOSFET

FDMC7570S是采用3mm×3mmMLP封装、具有业界最低RDS(ON)的25V MOSFET器件，可提供优异的效率和结温性能。FDM C7570S在10VGS下的RDS(ON)为1.6mΩ，在4.5VGS下则为2.3mΩ；其传导损耗更比其他外形尺寸相同的替代解决方案降低50％，为设计人员提供了目前最高的功率密度。所有这些改进都是飞兆半导体性能先进的专有PowerTrench22艺技术的成果，这项技术带来了极低的RDS(ON)值、总体栅极电荷(QG)和米勒电荷(QGD)。FDMC7570S另一优势为其专有的屏蔽栅极架构，可以减少高频开关噪声。

紧凑、可扩展的电源模块ISL8200M

ISL8200M是10A、高度集成的POL稳压器，采用表面安装的QFN封装，内部包含一个PWM控制器、功率MOSFET、功率电感器和相关的分立器件，是计算、通信和网络基础设施，以及工业市场中各种应用的理想之选。

ISL8200M的输入电压为3～20V，支持0.6～6V的输出电压。器件采用专利的电流分配架构，可以让6个模块并行工作，使总输出电流达到60A。即便在低电压、高电流的应用中，远程电压检测功能也能实现精确的调节。设计者可对ISL8200M进行编程和对开关频率进行同步，优化效率和在对噪声敏感的系统中控制开关噪声。使能引脚和电源良好指示器可以用来对模块排序，满足FPGA和处理器电源排序的要求。

升压型DC/DC转换器LTC3108

LTC3108运用一个小的标准升压变压器来提供一个完整的电源管理解决方案。其2.2V LD0可为一个外部微控制器供电，同时其主输出可用引脚在4个(2.35V、3.3V、4.1V或5V)固定电压中选择一个，为无线发送器或传感器供电。第二个开关输出可由主器件启动，以为没有微功率停机功能的器件供电。甚至在输入能源无法得到时，增加一个存储电容器来提供连续功率。LTC3108的极低静态电流(

高压NB LED驱动器MAX 16833

MAX16833独特的架构可提供完备的短路保护，通过单线连接至LED，并具有内部频率抖动功能。这些特性使设计人员可以轻松满足DRL(日间行驶灯)、位置灯、转向灯和远/近光灯等大功率汽车照明应用对可靠性的苛刻要求。

MAX16833能够实现具有较高故障容错率和可靠性的LED驱动方案。器件较宽的输入电压范围在正常工作时能够承受峰值高达65V的电池抛负载电压。集成的高边调光p沟道MOsFET驱动器和高边电流检测放大器可检测短路故障，并在发生短路故障时保护LED、驱动器和电池。在输出与地、输入与输出之间均提供该短路保护电路。此外，该架构采用单线与LED连接，有效降低LED与驱动器之间的连线成本和复杂度。MAX16833还包括输出过压保护、过热保护以及一路故障检测输出。

SIMPLE SWITCNEN电源模块系列

电源模块可以精简电源供应系统的设计，并确保供电系统可为FPGA芯片、微处理器、数字信号处理器(DSPS)以及其他负载点(POL)电源转换系统提供稳压供电，因此是医疗设备、广电视频设备、通信设备、工业及军事设备的理想供电系统解决方案。这一系列电源模块优点是产生较少电磁干扰，符合有关EN55022(CISPR22)B类(Class B)电磁波辐射的规定。

型号为LMZ10504的此款电源模块适用于2.95～5.5V的输入电压，可以提供高达4A的负载电流；型号为LMZ12003的此款电源模块适用于4.5～20V的输入电压，可以提供高达3A的负载电流；型号为LMZ14203的一款电源模块适用于6～42V的输入电压，可以提供高达3A的负载电流。

10A超级电容LED闪光驱动器

NCP5680结合最新纤薄棱形超级电容，例如由CAP－XX提供及村田制作所授权的电容电压为5.5V时电容达0.9F，以及Osram提供的大功率LED OSLU XNCP5680与锂离子电池相辅相成，为闪光照明提供达10A的大峰值电流，并为与CAP－XX开发的BriteFlash电源架构一起使用而优化。完全可编程控制的超级电容充电及放电和独特的过载保护，确保为高质量的摄影提供恰当的光。

ON Semiconductor

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低通态电阻650V MOSFET

这款新器件是ST W77N65M5，通态电阻RDS(ON)为38mΩ，采用TO-247封装。意法半导体计划在2010年推出采用Max247封装的22mΩRDS(ON)的STY112N65M5。与常规MOSFET产品和超结器件相比，MDmesh V技术的单位芯片面积通态电阻最低。

更低的损耗给设计带来很多好处，包括提高能效、更高的功率密度和更低的工作温度，最终可提高目标应用的可靠性，如个人电脑和服务器的电源、太阳能转换器、电焊电源和不间断电源设备，导通损耗是影响这些应用能效的要素之一。

4A开关升降压转换器TPS63020

该升降压器件的输入工作电压介于1.8～5.5V，可在保持出色轻负载效率的同时，将锂离子电池放电至2.5V或更低。单电感型2.4MHz TPS63020转换器采用3mm×4mm×1mm封装，可实现100mm2的完整D C/D C转换器解决方案。

主要特点：高输出电流性能使电池供电设备能够以最高效率生成最大电流；动态输入电流限制可高效保护电路及系统；节电模式可在轻负载下保持高效率；支持单节锂离子电池、2节、3节碱性电池、镍镉或镍氢电池。

Texas Instruments

电话：800-820-8682

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新款ThunderFET功率MOSFET

SiR880DP是在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。其采用热增强型PowerPAK SO－8封装，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V栅极驱动下，该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161，该数值是DC/DC转换器应用中MOSFET的优值系数。SiR880DP针对通信负载点应用的隔离式DC/DC转换器中初级侧开关进行了优化。非常低的导通电阻意味着可减少功率损耗和实现更绿色的解决方案。

Yishay Intertechnology

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