有容乃大,堆叠之道

【摘要】突破microSDHC桎梏的关键显然是在多层晶元堆叠封装技术上。从早期microS D的单层晶元(single-Leve-cell，SLC)封装，到后来逐渐崛起的多层晶元(Multi-Level-Cell，MLC)堆叠技术，人...

在前不久落幕的美国CES上，Kingmax推出了全球首片容量达4GB、符合SD 2.0规格的microSDHC存储卡。随后，SanDisk在3GSM大会上了4GBmicroSDHC卡。这些无疑都宣告了microSD即将进入全新的海量存储时代。

的确，自2006年5月SD协会(SD CardAssociation)正颁布了最新版的SD 2.0规范以后，我们就不断看到SD卡存储容量和性能一次次地被刷新。从早期4GB的SDHC到后来的8GB SDHC高速存储卡，性能级别也从开始的Class 2快速飙升到class 6，这无疑为数码相机、GPS、掌上电脑等应用提供了强大的存储支持。然而在当前发展最快、应用前景最广的手机存储卡――microSD卡上，由于受到其超小、超薄的形体所限，存储容量的进展则相对要迟缓得多。但这些都不能成为阻止microSD发展的理由。这不，大容量、高性能的microSDHC已经悄悄地来了!

microSDHC，海存快跑

SD 2.0规范也同样对全新一代的microSDHC进行了描述。它可以支持2GB～32GB的海量存储空间，并可依据读写性能划分为4个速度等级。因为SD 1.1版microsD卡的文件系统使用标准的FAT16格式，其所支持的最大容量为2GB。而超过2GB容量的microSDHC则需要使用FAT32文件系统，这也在一定程度上限制了其向下的兼容性，标准的SD 1.1版读卡器(控制器)将不能正确的识别它们。microSDHC卡的4个速度等级，主要是限定了其最低写入速度，并给出不同等级能分别满足不同的实际应用类别，以便用户依此进行更直观的选择。

八层堆叠，关键所在

突破microSDHC桎梏的关键显然是在多层晶元堆叠封装技术上。从早期microS D的单层晶元(single-Leve-cell，SLC)封装，到后来逐渐崛起的多层晶元(Multi-Level-Cell，MLC)堆叠技术，人们也一直在努力探索大容量microSD的解决之道。而MLC相较SLC则能够更有效地利用现有技术制造出更大容量的闪存产品，且开发成本也相对更低，因而也逐渐得到了业界的广泛认同。

目前采用MLC技术来制造4GB乃至更高容量的microSDHC存储卡的趋势已经非常明确，Kingmax首推的4GB Class 6microSDHC就是其中的代表作品，它凭借PIP(Product In Package)专利封装技术，将8颗晶元直接堆叠封装成型，一举达到了当前最高的4GB存储容量。而按照Kingmax集团大中华区行销业务副总经理陈春晖先生的预估，到年中三星正式供货更先进的8Gb晶元时，使用同样封装技术的8GB microSDHC存储卡也将很快面市。

随着3G手机市场的逐步启动，手机数据存储也必将成为2007年存储卡领域的成长最迅猛的一个热点。而作为手机存储卡实际上的霸主，microSDHC准和多层晶元堆叠技术，无疑将在明天的microSD卡王国里散发更耀眼的光芒。