窄禁带半导体器件物理

窄禁带半导体物理是半导体科学的一个重要分支，这个分支主要研究一类禁带较窄的特殊半导体材料。对这些材料的研究揭示了一些不仅适用于一般半导体材料的物理原理，而且还发现了窄带半导体的一些独特性能。在红外光电子科学与技术领域，窄禁带半导体被用于制作检测器、发射器和其它的高速设备。

本书共分为6章，1.前言；2.杂质和缺陷；3.复合；4.表面二维电子气；5.超晶格和量子阱；6.器件物理。本书不但有助于读者了解半导体物理学和材料科学，而且它们还与光电子器件物理相关。其中最后一章重点讲述了器件物理知识在光导检测器、光电伏特的红外检测器、超品格和量子阱、红外激光器、单个光子的红外检测器等器件中的应用。

本书主要致力于对窄带半导体的研究及其应用的探讨，对于理解窄禁带半导体材料和红外光电科技的基本科学知识有极大的帮助。中国科学院上海技术物理研究所的汤定元教授对该书的评价：这本书是第一本充分总结窄禁带半导体的研究成果的国际性论著。

本书是介绍窄禁带半导体系列的第二册，其中第一册是“窄禁带半导体物理和特性”(springer 2008)，主要介绍窄禁带半导体材料，揭示其内在物理原理并且控制其性能。本书将窄禁带半导体物理放在整个半导体物理的大框架中进行讨论，本书的独特之处还在于其广泛收集了很多中国科学家的研究成果。本书广泛讨论了不同方面的前沿理论和实验科学话题，并将它们与器件相关的技术相连接，从而实现了在组织上将基本的物理原理和前沿研究很好的结合。相关领域的学生和研究者都可从本书受益。

本书的作者之一――褚君浩教授，在窄禁带半导体领域做出了很大的贡献，他被认为是最适合写窄禁带半导体物理综述性图书的作者。他曾应邀为新版的“Landolt-Bornstein：科学技术中的数字数据和功能关系”(1999年版和2008年版)更新基于Hg的半导体的数据库。

本书不仅适合从事窄禁带半导体材料方面科学研究、教育、工业生产的人士阅读，而且对从事有关其它所有半导体研究的人士具有一定的参考价值。