半导体信息

万钢:大力发展科技创新应对国际金融危机

STMicro研发低欧姆阻抗的MOSFET

IMEC研发10nm晶体管的可行性

计算机晶体管技术酝酿变革

三星LG将携手研发数字电视半导体

三维电子晶体制造新工艺问世有助于促进超小型光集成电路的发展

TI实现硅芯片组件嵌入PCB较传统封装减薄50%

高电导透明单壁碳纳米管薄膜成功应用于有机发光二极管

我国首条微电子级多晶硅生产线成功试产

华虹NEC0.162微米CIS工艺成功进入量产

硅谷数模新推低功耗发送端芯片

三菱电机开发大功率IGBT模块

第三代12VTrenchFET功率MOSFET

美国诺发开发出基于溅射的铜布线技术面向2Xnm以后工艺

松下电工通过晶圆级接合4层封装LED

IBM研发出超越硅材料极限的最快石墨烯晶体管

美国国家半导体推出低功耗纳米功率运算放大器

飞秒激光烧蚀制备大面积均匀纳米结构方面获重要进展

ZXMC10A816:双MOSFET组合式器件

东芝开发出新型晶圆级制造工艺,可将0603芯片型二极管组装成本减半

肖华:LED产业发展迅速年均增速超过20%

合力发展国产半导体装备产业

首条4.5代AMOLED生产线在广东顺德开建总投资人民币49.6亿元

中航半导体封装基板研发中心落户江苏无锡

英特尔大连工厂正式投产投资额25亿美元

前景看好台湾将成全球最大晶圆生产地

泰科电子推出业界首款可回流焊热保护器件

英特尔三星东芝联手开发10纳米芯片工艺

欧司朗白色LED新系列,以金属引线架实现连续工作5万小时

Hittite推出SMT封装的GaAsMMICSP4T开关

IR新款25V及30V高性能PQFN功率MOSFET系列

Javelin公司推出CMOS功率放大器

RFMD推出为AMI和ISM波段设计的前端模块

VishaySiliconix推出业内导通电阻最低的MOSFET器件

VishaySiliconix推出新款N沟道功率MOSFET

Hittite新增频率合成器模块HMC-C083

首颗二维码解码“中国芯”诞生

三菱材料开发出可降低带散热片的功率元件底板制造成本的新技术

英特尔斥资80亿美元扩产导入22纳米制程

Hittite新款pHEMT增益模块/驱动放大器覆盖DC到10GHz