闪存这位问题“少年”

一直笼罩在“前景堪忧”阴云中的闪存，正在给业界创造更大的想象空间。

自诞生之日起，闪存就始终问题缠身。一方面，它没有主内存的数据存取速度快；另一方面，它没有磁盘的可读写次数多。但恰恰是这种“中庸”，使得闪存近年来在消费电子等新领域得到了快速发展和应用。而与此同时，有关它生存和前景的话题，也一直处于或明或暗的争论中。

首当其冲的，无疑是闪存正在面临着与磁盘相同的物理制造瓶颈。目前业内所公认的是，45纳米制程对于现有的闪存存储单元设计是一道坎。而对于大多数闪存制造商而言，无法推进闪存的容量、缩小体积，就意味着无法在该领域进一步获取利润。

在摩尔定律之下，可以预见的危机就像远处的一座大山。一方面，半导体制造商在不断研发新技术，尽可能长的延续闪存的生机；另一方面，它们也在积极地开发新型的替代技术。

2006年9月，三星宣布已成功开发出40纳米制程工艺、容量达4GB的NAND闪存芯片（目前主流闪存芯片中的一种分支技术）。同时，三星还表示，将采用一种名为“CTF”的新型架构，来替代由东芝公司发明的、传统闪存中一直采用的“浮栅”结构，可使“闪存制程达到30纳米甚至20纳米”。

如果该技术能够实现，无疑将极大地打击业内的其他竞争者。分析师对三星所言的这一“神秘”的技术充满了兴趣，因为要实现40纳米制程已经“很富挑战性”。可以看到，几年前便把赌注押在NAND闪存上的三星，正在该领域奋力一搏。

在非易失性存储器（Non-Volatile Memory）的家族中，闪存近在眼前的危机还来自一些新兴技术的威胁。相变内存（PRAM、PCM及OUM)便是其中之一。在过去几年中，IBM、英特尔、瑞萨、索尼、东芝、三星等公司都已经纷纷大举投入相变内存的研发。

2006年12月中旬，IBM宣布已成功与奇梦达、旺宏联合研发出了一种相变内存，利用一种“复杂的半导体合金，交换速度比闪存快500倍，而写入数据的功耗还不到闪存的一半”，因此有望取代目前已被广泛采用的闪存芯片。此消息刚一公布，立刻就有人将之称为“闪存杀手”。

实际上，从IBM在存储方面的脚步迁移，也可以看到整个存储业发展的新脉络。IBM的研发重心已从其早先的磁盘技术向软件技术偏离，而相变内存正是其关注的一个新焦点。

因此也就不难理解，为何在IBM举办的纪念磁盘50周年的庆典上，IBM企业级磁盘存储服务器开发部总监Steve Broadbent，以及IBM系统与科技事业部系统架构师陈国豪，在介绍IBM存储未来的发展之时，会“偏离主题”地提到SCM（Storage Class Memory）和PCM。陈国豪认为，在未来五年，SCM和PCM所带来的存储和价格上面的优势将对现有闪存构成极大威胁，这也将是存储产业在消费电子和PC领域的一个新立足点。

新旧技术间的博弈还在进行当中。在光存储领域，蓝光与HD- DVD标准的争夺已把众人拖得精疲力竭，早在几年前便已宣称到来的蓝光时代，至今也未实现普及化发展，却还混在一片喧嚣之中。占据存储主导地位的磁盘阵列近年来略显疲态，而“隐居多年”的磁带却开始在企业级应用中焕发新貌。直到现在，DRAM芯片也没有像预言中的那样一路败北，而作为“半导体产业中最不稳定的市场”，生产商在DRAM和NAND闪存之间的平衡仍将继续。同样，一直笼罩在“前景堪忧”阴云中的闪存，也正在给业界创造更大的想象空间。