纳米结构中的迁移

David K. Ferry

Transport in Nanostructures

2009；

Hardback

ISBN9780521877480

D.K.费里等著

纳米结构通常被认为是研究电子迁移的理想系统。本书的第一版曾大获成功，它的内容源自作者在过去10年中讲授介观器件物理学及电子学的教案。第二版提供了对有关最新实验研究所急需的适时更新，作者对内容进行了全面的修订，提出了一个用于理解介观器件行为的详尽框架。作者把对有关文献的评述与纳米尺度现象的理论理解相结合。

本书共有9章。1.绪论。由于硅技术的进步将标准的金属氧化物半导体场效应晶体管带入了介观世界。本章增加了有关纳米器件的新内容，并提供了对纳米线及碳纳米管的介绍；2.量子密闭系统。讨论进一步集中在一维结构而不是二维结构上。新增内容包括对薛定谔方程及泊松方程数值解的讨论，以及准一维系统中非自洽玻恩散射近似；3.纳米结构中的传输。其内容集中在甚低温迁移上，包括了对平衡量子迁移不同方法的介绍；4.量子霍尔效应。这是全新的一章，涉及了量子霍尔效应和分数量子霍尔效应；5.量子线中的弹道输运，也是新增的章节，重点放在了量子线上，包括了对量子线各种效应的现代研究；6.量子点，包括了量子点及有关自旋作用的新内容。保留了单电子隧道的内容，增添了不少耦合点的新内容；7.弱无序系统，该章增加了对强定域化的介绍；8.波动的温度衰减。与第一版相比，内容改动不大。该章讨论了温度的作用，除了半经典方法之外还介绍了松原格林函数；9.非平衡迁移与纳米器件。增加了不少有关半导体纳米器件的内容，以及建立在李普曼―薛温格方程基础上的通过散射矩阵实现的器件模拟和非平衡格林函数的论述。

本书的前两位作者都是美国亚利桑那大学电气工程系的教授，后者还兼任该大学纳米电子学研究所的主任。新增加的第三位作者是美国水牛城大学电气工程系教授。研读介观物理学或纳米电子学的研究生及从事半导体纳米结构研究的研究人员将会从本书受益。

胡光华，

高级软件工程师

(原中国科学院物理学研究所)

Hu Guanghua, Senior Software Engineer

(Former Institute of Physics,CAS)