硅射频金氧半导体效应晶体管

the Chinese Academy of Science)M.GuptaProcessing and Fabricationof Advanced Materials XⅢB Jayant Baliga North Carolina StateUniversity，USASilicon RF Power Mosfets2005，302pp.Hardcover USD93.00ISBN 981-256-121-8Wor1d Scientificwww.省略

世界范围内蜂窝网络的迅速扩大掀起了电讯系统的革命。从模拟射频技术到数字射频技术的转换使得利用现有的频谱、视频业务量的持续增加，进而导致了基于文本信息、图形甚至流式视频数字传送的持续增加。数字网络的开发要求电讯系统向多载流子射频功率放大器迁移。而该放大器在线性度和效率方面具有严格的要求。

本书论述了硅射频金氧半导体效应晶体管(MOSFET)的物理过程、设计考虑以及射频性能。这种晶体管是功率放大器的心脏。本书首次介绍了建立在超线性运行模式上的射频功率MOSFET的最新发明及商业化。除了物理过程的分析研究之外，借助于数值模拟的结果，本书提供了晶体管工作的深入描述。分析了许多新型的功率MOSFET的结构。并且把它们的性能与那些横向扩散(LD)MOSFET的性能相比较，后者目前在2G和3G网络中使用。

本书共有11章。1　绪论；2　射频功率放大器；3　MOSFET物理学；4　横向扩散MOSFET；5　纵向扩散MOSFET；6　申荷耦合MOSFET；7　超线性MOSFET；8　平面超线性MOSFET；9　双沟道MOS－FET；1O　热载流子注入的不稳定性；11　提要；最后是一个附录，它提供了射频功率MOSFET产品的一览表。

本书作者巴林加教授是美国北卡罗来纳州立大学的教授，他是一位国际著名的科学家，著有10本图书，500多篇论文，拥有100多项美国专利，在成为大学教授之前，他曾在位于纽约州斯克内克塔迪的通用电气公司实验室工作。“科学美国人杂志”在它们为纪念固体世纪而发行的1997年的专利中提名他为半导体革命的8位英雄之一。他曾受到过多种奖励，并被选为美国国家工程院院士，这是工程界专业人员的最高荣誉。

本书的特点在于着重这类器件运行的物理过程分析。这是通过深入的二维数值分析来进行的。这种分析为晶体管的设计及运行提供了通用的指引，因而不必参考任何具体的公司产品。尽管这种器件对于电讯基础设施是非常重要的，但至今尚未出版过一本强调射频功率MOSFET结构的书。本书可以用于讲授固体器件课程，同时也是电讯工业实用的参考书。

胡光华，高级软件工程师

(原中国科学院物理学研究所)Hu Guanghua，Senior Software Engineer

(Former Institute of Physics，

the Chinese Academy of Sciences)