相变存储器是电子技术变革的前奏吗

奥运会的口号是“更高、更快、更强”，对于数字技术来说，其口号应该是“更大(大容量)、更快(高速处理)，更全(多种功能)。为了实现这个目的，数字芯片厂商一直紧盯着CMOSI艺的进展，每一次线宽的缩小都能使他们大获其利。但是，天下没有不散的宴席，这个以挑战硅材料极限为目标的游戏快要走到头了。如果说处理器厂商还能靠不断地增加内核数目来延续辉煌的话，存储器厂商的口袋中就变不出什么新花样了。不过，就是这种局面，反倒加快了新存储技术的诞生。

如果你一直关注于各媒体的报道，就不会对“相变存储器”这个名词感到陌生。这个在今年多次出镜的技术，最有可能在存储器技术的新一轮大赛中脱颖而出。但实际上，它也不是什么横空出世的新秀了，只是多年来一直在“家”内闭门修炼，如果从1970年第一个256位半导体相变存储器诞生来算，“他”也算是一个接近不惑之年的中年人了。

既然是有备而来，相变存储器一定有很多优点了。来简单地介绍一下：首先，是一位可变性，即最小可变单元是一位，信息改变时不需要单独的擦除步骤。第二，很快的读写速度，这点不用过多解释。第三，超苗条的身材，因为不是门电路，体积的缩小不受限制。第四，超过目前闪存的擦写次数，这意味着其更加耐用。

其实，这项技术最吸引人的地方是它的工作原理与传统的半导体器件不同。这也可以看作是电子技术在寻找硅材料替代品上面的一次成功尝试(现在的相变存储器多以锗、锑、碲的合成材料为主)。这让人不禁想起了多年前热炒的砷化镓材料，其一度被认为将在21世纪全面取代硅材料，但这一预言至今没有实现。现在，我们确实在相变存储器技术上看到了曙光。不过，还不能说这一技术是革命性的。因为，它的出现，不能颠覆现有的电子系统架构。它只是一个老技术的优异替代者之一(还有几个强有力的竞争对手在虎视眈眈)。我们还需要等待，这个熟悉的电子世界在质变前的量变还在继续，直到那个临界点的降临。

最后多说一句，各位在看到这本杂志的时候，已经是2010年了，在这里我们谨祝大家工作顺利，万事如意!