英飞凌智能卡芯片有三大创新

时间:2022-08-17 01:55:33

【前言】英飞凌智能卡芯片有三大创新由文秘帮小编整理而成,但愿对你的学习工作带来帮助。英飞凌推出了90nm 16位的CPU产品——SLE7X,采用安全凌捷掩膜和EEPROM技术。此产品已经被银联列入金融IC卡芯片推荐产品名单。 EEPROM安全凌捷掩膜产品在CPU方面有几个优势。第一是真16位CPU,比旧的CPU性能提升40%,功耗更低。从目前市场角度讲,如果在8位CPU里面做一...

英飞凌智能卡芯片有三大创新

英飞凌智能卡市场有25年经验,在全球智能卡与安全芯片市场占有率连续15年位居第一。近日,英飞凌科技(中国)公司智能卡与安全部门中国区经理潘晓哲介绍了其最新的三大创新

存储:从ROM到EEPROM

智能卡芯片的ROM会转移到EEPROM。因为首先是性能的提升和功耗的降低,半导体业来说关键之一是线宽。线宽从最早的0.22μm(220nm)下降到了0.13μm(130nm),英飞凌现在推广的主流产品是90nm。通常线宽越低,功耗越低,性能越好(如图1)。第二,跟原来基于ROM的硬掩膜相比,未来基于EEPROM,英飞凌推出了安全凌捷掩膜,此项技术更具成本优势和灵活性,也会成为未来的趋势。但从ROM变到EEPROM,芯片安全性同样需要关注。英飞凌所做的EEPROM的工艺,在程序写入后直接固化,可以达到和ROM一样的安全等级,甚至提供一些额外的安全性能。英飞凌现在的EEPROM产品已经获得了CC EAL 6+(高)证书,市场上大部分的CC证书是4+或者5+。在针对高端应用的产品里会用到6+证书。

过去ROM与EEPROM相结合的产品较多,这主要和成本有关。不许改动的内容放在ROM里,要改变的放在EEPROM,这样的组合会有成本优势。人们常听到的ROM产品、硬掩膜产品都属于这类产品。

因为无论是在0 . 2 2μm还是0.13μm工艺中,EEPROM的单元成本高于ROM,但是有个临界点。在现在推出的90nm中,两者成本已经差不多了。由于免去了ROM的掩膜费,现在英飞凌提供的90nm的产品, EEPROM的单元成本比ROM更加便宜。对于未来的65nm,EEPROM的成本肯定会低于ROM。

英飞凌推出了90nm 16位的CPU产品——SLE7X,采用安全凌捷掩膜和EEPROM技术。此产品已经被银联列入金融IC卡芯片推荐产品名单。

EEPROM安全凌捷掩膜产品在CPU方面有几个优势。第一是真16位CPU,比旧的CPU性能提升40%,功耗更低。从目前市场角度讲,如果在8位CPU里面做一些加速器,可以提速,但只能针对一些已知算法或交易流程,一旦交易流程有改变,真16位的高性能就可以体现出来。例如,一些城市已经可以用银行卡刷公交卡,刷公交卡对交易时间有一定要求。最早的智能卡对交易时间要求小于500毫秒,这对银行卡支付没有太大问题;但交通卡的最低要求在300毫秒以下。现在英飞凌的产品可以做到200毫秒qPBOC交易时间。

线圈模块

现在推出银行卡时用的是双界面的方案。双界面即接触和非接触在一个芯片、一个模块上。即卡片里面有一个模块是接触式的,ATM可以用。同时里面内置一个天线,可以做小额支付、交通等。最早的标准模块有一个焊接的过程,两个焊点将天线焊上做成卡片。这是标准做法。

线圈模块技术(Coil on Module)是没有物理连接和焊点的,直接在模块背后做成小天线,通过小天线耦合到卡内大天线,然后再到读写器,所以是两次耦合的过程,可以避免物理焊接。优势在于继续利用现有接触式卡设备生产双界面卡,简化生产流程,降低成本,提升良率。(王莹)

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