英特尔与恒忆公布突破性相变存储器技术研究成果等

时间:2022-09-22 01:28:37

英特尔与恒忆公布突破性相变存储器技术研究成果等

10月28日,英特尔公司与恒忆(Numonvx B.V.)公布了一项突破性的相变存储器(PCM)研究成果,这种新的非易失性存储器技术结合了目前各种存储器的优势。研究人员首次展示了能够在单个硅片上堆叠或放置多个PCM阵列层的64Mb测试芯片。这些研究成果为制造更高容量、更低能耗的存储器设备铺平了道路,能够为随机存取非易失性存储器和存储应用降低所占用的空间。

这项成果由恒忆和英特尔联合开发,双方一直在合作探索多层或堆叠式PCM单元阵列方面的研究。英特尔和恒忆的研究人员现在能够展示垂直集成的存储器单元PCMS(相变存储器与开关)。PCMS由一个PCM元件和新型双向阈值开关(OTS)以真正的交叉点阵列方式组成。堆叠多层PCMS阵列的能力提供了更高存储器密度的可扩展性,同时保持PCM的性能特征,而基于传统存储器技术则越来越难以实现。

英特尔院士、存储器技术开发总监Al Fazio表示:“我们继续开发存储器的相关技术,以推动计算平台的进步。这项里程碑式的研究成果令人振奋,我们认为对于扩展存储器在计算解决方案中的作用以及提高性能和存储器扩展能力,PCMS等未来存储器技术至关重要。”

恒忆公司高级技术院士GregAtwood表示:“这项研究成果前景广阔,使得未来为PCM产品开发密度更高、可扩展的阵列和类NAND使用模式成为可能。传统闪存技术面临物理限制和可靠性问题,而从手机到数据中心等设备对存储器的广泛需求却越来越高,因此这项成果意义重大。”

存储器单元通过堆叠存储元件和选择器而制造,由几个单元构成存储器阵列。英特尔和恒忆的研究人员能够将薄膜、双终端OTS部署为选择器,其物理和电气特性非常适合PCM扩展。现在,薄膜PCMS的兼容性让多层交叉点存储器阵列成为可能。分层阵列一旦集成起来并按照真正的交叉点阵列进行嵌入,可与CMOS电路相结合,用于解码、传感和逻辑功能。

在12月9日即将在美国巴尔的摩市召开的2009年国际电子设备大会(Intemafional Electron Devices Meeting,IEDM)上,两家公司将联合发表标题为《可堆叠交叉点相变存储器》的论文,披露有关存储器单元、交叉点阵列、实验以及结果的更多信息。这篇论文由英特尔和恒忆的技术人员共同撰写,英特尔高级首席工程师DerChange Kau将做相关演讲。

索尼开发出高帧率单镜头3D摄影技术

10月1日,索尼集团宣布开发出单镜头3D摄影技术,能够以240fDs记录自然平滑的3D影像,甚至是体育场景中的快速运动物体。该项技术结合了为单镜头3D摄影新开发的可同时捕捉左侧和右侧图像的光学系统,以及现有的高帧率(hiqh framerate)记录技术来实现240佃s 3D摄影。索尼在10月6日开始的“CEATEC日本2009”展会上展示了应用这项技术的原型机。

现有的半反射镜(halfmirror)3D摄影系统中有两个独立的镜头分别对应左跟和右眼,视差范围可以调节。使3D影像的深度可以进行相应调整。但是,当进行变焦和对焦操作时,人眼的灵敏度,特别是对双影像大小差异和旋转运动产生的差异,以及垂直误差或影像质量的差异的敏感度,要求复杂的技术来保证每个镜头之间的紧密协调,并确保光轴、影像大小和焦点的无差异。单镜头系统的引入解决了可能导致双跟光学特征差异的任何问题。并且,通过使用反射镜替代快门,入射光线可以同时被分离进入左侧和右侧的影像,并在到达重放镜头的平行光区域(在此区域目标物体焦点处发出的分离光线变成平行光线)时被记录下来。分离的左侧和右侧影像随后被左右影像传感器分别处理和记录。由于左右眼的影像被捕捉时没有时间差异,记录自然和平滑的3D影像成为可能,甚至是快速运动的场景。

光学测试表明,240fps达到了人眼视觉感知的极限,超越此范围人眼就很难察觉模糊和运动画面的抖动(连续影像看起来像是一系列分离的画面),通过开发性能接近人眼的240fps帧率的CMOS影像传感器以捕捉自然以及快速运动的物体,索尼成功地进一步提高了3D视频影像的质量。

索尼新开发的单镜头3D系统和240fps高帧率技术的结合,实现了一个单镜头3D摄影系统,基于人眼的普遍性质,它可以记录无辐辏(注视物体时双眼会聚)冲突及焦点调节(排列双眼注视物体的方向)冲突的自然和平滑的3D影像。

数字3D屏幕的增长非常迅猛,并有望在2009年底达到全球7000块(根据ScreenDigest的报道,大约截止到2009年7月)。

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