赛灵思:16nm FinFET+产品来了

时间:2022-09-11 10:12:34

赛灵思:16nm FinFET+产品来了

英特尔14nm处理器的上市让更多人意识到,处理器制程更新换代的时候到了。而在FPGA领域,赛灵思(Xilinx)也在羊年伊始率先推出了16nm产品。目前,在市场主流的28nm产品中,赛灵思市场份额高达70%,但在追求制造工艺的道路上它又接连发力,去年12月才宣布量产20nm产品,现在又率先16nm 产品,并计划于年底样片。

FinFET+的秘密

据悉,赛灵思全新的16nm UltraScale+产品系列包括FPGA、3DIC和MPSoC,基于台积电公司最新的16 FinFET+ 3D晶体管技术,大幅提升了性能功耗比。赛灵思公司全球高级副总裁、亚太区执行总裁汤立人表示,和90nm到40nm产品演进不同,28nm会在相当长的时期里成为目前市场主流的产品,而20nm和16nm产品,将会针对特定用户并满足下一代设计的需求。据悉,此次最新的16nm UltraScale+产品系列就主攻LTE Advanced、早期5G无线、Tb级有线通信、汽车高级驾驶员辅助系统(ADAS),以及工业物联网五大下一代关键应用。

与x86处理器相比,FPGA要更为复杂,价格更为昂贵。汤立人表示,16nm UltraScale+产品系列采用的工艺不是16nm FinFET,而是16nm FinFET+。“虽然16nm FinFET从制程工艺上比不上英特尔、三星的14nm FinFET,但FinFET+则相当先进,性能可以提高15%,功耗则降低30%。”

超出工艺价值

可以说,全新16nm UltraScale+产品系列为赛灵思实现“可编程取代ASIC和ASSP”的蓝图提供了产品基础。通过系统级的优化,UltraScale+ 所提供的价值超过了传统工艺节点移植所带来的价值,系统级性能功耗比28nm器件提升了2至5倍,还实现了领先的系统集成度和智能化,以及最高级别的安全性。这主要应用到了如下几种创新技术。.

存储器增强型可编程器件:通过对SRAM 集成的支持, UltraRAM解决了影响FPGA和SoC系统性能和功耗的最大瓶颈之一。设计人员通过紧密集成大量嵌入式存储器与相关处理引擎,不仅能实现更高的系统性能功耗比,并可降低材料清单(BOM)成本。

SmartConnect技术:SmartConnect是一种新的创新型FPGA互联优化技术,通过智能系统级互联优化,可额外提供20%到30%的性能、面积和功耗优势。而UltraScale架构通过重新架构布线、时钟和逻辑结构能够解决芯片级的互联瓶颈,SmartConnect则通过应用互联拓扑优化满足特定设计的吞吐量和时延要求,同时缩小互联逻辑面积。

业界首项 3D-on-3D技术:高端UltraScale+系列集合了3D晶体管和赛灵思第三代3D IC的组合功耗优势。正如FinFET相比平面晶体管实现性能功耗比非线性提升一样,3D IC相比单个器件实现系统集成度和单位功耗带宽的非线性提升。

异构多处理技术:全新Zynq UltraScale MPSoC通过部署上述所有FPGA技术,能够实现“为合适任务提供合适引擎”,相对此前解决方案可将系统级性能功耗比提升约5倍。单独的安全单元可实现军事级的安全解决方案,诸如安全启动、密钥与库管理和防破坏功能等,这些都是设备间通信和工业物联网应用的标准需求。

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