半导体学报

时间:2022-09-29 06:14:36

半导体学报

Calculation of band edge levels of strained Si/(111)Si1-xGex^*宋建军 张鹤鸣 胡辉勇 载显英 宣荣喜 (1)

Influence of gold particle size on melting temperature of VLS grown silicon nanowire姜岩峰 张亚民 (4)

Optimization of inductively coupled plasma etching for low nanometer scale air-hole arrays in two-dimensional GaAs-based photonic crystals彭银生 叶小玲 徐波 金鹏 牛洁斌 贾锐 王占国 (9)

Electronic structures of an (8, 0) boron nitride/carbon nanotube heterojunction刘红霞 张鹤鸣 宋久旭 张志勇 (14)

Suppression of extension of the photo-sensitive area for a planar-type front-illuminated InGaAs detector by the LBIC technique 李永富 唐恒敬 李淘 朱耀明 姜佩璐 乔辉 李雪 (17)

Large signal RF power transmission characterization of InGaP HBT for RF power amplifiers赵立新 金智 刘新宇 (22)

Short channel effect in deep submicron PDSOI nMOSFETs卜建辉 毕津顺 宋李梅 韩郑生 (27)

Analysis of trigger behavior of high voltage LDMOS under TLP and VFTLP stress祝靖 钱钦松 孙伟锋 刘斯扬 (30)

Design of a high-performance PJFET for the input stage of an integrated operational amplifier税国华 唐昭焕 王志宽 欧红旗 杨永晖 刘勇 王学毅 (34)

A novel fabrication approach for an athermal arrayed-waveguide grating周天宏 马卫东 (39)

Optimization of grid design for solar cells刘雯 李越强 陈建军 陈燕凌 王晓东 杨富华 (42)

A 4224 MHz low jitter phase-locked loop in 0.13-μm CMOS technology陈虎 陆波 邵轲 夏玲琍 黄煜梅 洪志良 (46)

A high performance 90 nm CMOS SAR ADC with hybrid architecture佟星元 陈剑鸣 朱樟明 杨银堂 (51)

An X-band four-way combined GaN solid-state power amplifier陈炽 郝跃 冯辉 谷文萍 李志明 胡仕刚 马腾 (58)

A 2.4 GHz power amplifier in 0.35μm SiGe BiCMOS郝明丽 石寅 (65)

A Ka-band low-noise amplifier with a coplanar waveguide (CPW) structure with 0.15-/~m GaAs pHEMT technology吴家松 张建煌 刘兴中 林泰勇 吴宪明 (69)

Full on-chip and area-efficient CMOS LDO with zero to maximum load stability using adaptive frequency compensation马海峰 周锋 (73)

Study and analysis of coefficient mismatch in a MASH21 sigma-delta modulator葛彬杰 王新安 张兴 冯晓星 汪清勤 (79)

Low-power variable frequency PFC converters李娅妮 杨银堂 朱樟明 (83)

A high efficiency charge pump circuit for low power applications冯鹏 李昀龙 吴南健 (88)

A novel precision curvature-compensated bandgap reference周泽坤 明鑫 张波 李肇基 (93)

双极场引晶体管:III.短沟道电化电流理论(双MOS栅纯基)揭斌斌 薩支唐 (1)

研究快报

用MOCVD方法在GaAs衬底上低温生长ZnO薄膜史慧玲 马骁宇 胡理科 崇峰 (12)

用发光显微镜测试控制先进CMOS工艺的多晶硅刻蚀时间赵毅 万星拱 (17)

高温AIN为模板的AIGaN基p-i-n背照式日光盲探测器邹泽亚 杨谟华 刘挺 赵文伯 赵红 罗木昌 王振 (20)

一个电压接近1V 10ppm/℃带曲率补偿的CMOS带隙基准源幸新鹏 李冬梅 王志华 (24)

研究论文

MOCVD生长的GaN:Mg外延膜的光电性质王莉莉 张书明 杨辉 梁骏吾 (29)

具有新型电子传输层的有机薄膜电致发光器件徐维 鲁富翰 蒋雪茵 张志林 朱文清 徐贵 (33)

RTD在压力下的弛豫振荡特性仝召民 薛晨阳 张斌珍 刘俊 乔慧 (39)

全耗尽SOIMOSFETs阈值电压和电势分布的温度模型唐俊雄 唐明华 杨锋 张俊杰 周益春 郑学军 (45)

基于共沉积技术的AgTCNQ的有机双稳态器件涂德钰 姬濯宇 商立伟 刘明 王丛舜 胡文平 (50)

基于稀释波导的InP衬底上高耦合效率、低偏振敏感度1.55μm波长光纤一波导耦合器张云 左玉华 郭剑川 丁武昌 成步文 余金中 王启明 (55)

基于准MMIC技术的12--18GHz宽带VCO王绍东 高学邦 吴洪江 王向玮 默立冬 (63)

一种基于混沌的鲁棒低功耗真随机数发生器周童 周志波 喻明艳 叶以正 (69)

一种用于流水线结构ADC中改进速度/功耗比的CMOS动态比较器刘珂 杨海钢 (75)

一种用于表征亚阈值电流镜电路中CMOS工艺波动的统计学方法张雷 余志平 贺祥庆 (82)

一个简单鉴频鉴相器结构实现的快速锁定低抖动锁相环陈莹梅 王志功 章丽 (88)

面向384×288面阵型红外读出电路的低功耗设计刘丹 鲁文高 陈中建 吉利久 赵宝瑛 (93)

适用于无源射频标签的低功耗单栅非挥发性存储器赵涤燹 闰娜 徐雯 杨立吾 王俊宇 阂昊 (99)

退火后无应变Gal—x InxNyASl—y/GaAs量子阱的带隙 文于华 唐吉玉 赵传阵 吴靓臻 孔蕴婷 汤莉莉 刘超 (105)

Ge/Si量子阱结构的C-V特性的模拟程佩红 黄仕华 (110)

激光加工形成硅基上的氧化低维纳米结构的PL发光 黄伟其 吴克跃 许丽 王海旭 金峰 刘世荣 秦朝建 (116)

300mm掺氮直拉硅片的原生氧沉淀径向分布田达晰 马向阳 曾俞衡 杨德仁 阙端麟 (123)

高温AIN模板上P型GaN的生长研究 刘挺 邹泽亚 王振 赵红 赵文伯 罗木昌 周勋 (128)

近空间升华法氧气氛下CdTe源的性能 曾广根 黎兵 郑家贵 李愿杰 张静全 李卫 雷智 (133)

双沟道实空间电子转移晶体管的设计、研制和特性测量 郭维廉 张世林 梁惠来 齐海涛 毛陆虹 牛萍娟 于欣 (136)

一种有机薄膜器件的制备及电存储特性郭鹏 季欣 董元伟 吕银祥 徐伟 (140)

多晶硅薄膜阳极微腔有机发光器件及其简化制备流程的研究李阳 孟志国 吴春亚 王文 郭海成 张芳 熊绍珍 (144)

电离辐射中S01 MOSFETs的背栅异常kink效应研究 刘洁 周继承 罗宏伟 孔学东 恩云飞 师谦 何玉娟 (149)

AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器 王新华 王晓亮 冯春 冉军学 肖红领 杨翠柏 王保柱 (153)

热致封装效应对MEMS固支梁谐振频率的影响李明 宋竞 黄庆安 唐洁影 (157)

RF MEMS开关吸合电压的分析董乔华 廖小平 黄庆安 黄见秋 (163)

微尺寸SnAg凸点的制备技术及其互连可靠性林小芹 朱大鹏 罗乐 (168)

Cu-Ni/Solder/Ni-Cu互连结构的电迁移张金松 奚弘甲 吴懿平 吴丰顺 (174)

硅/玻璃紫外固化中间层键合程文进 汤自荣 廖广兰 史铁林 林晓辉 彭平 (179)

Metropolis蒙特卡罗模拟湿法腐蚀算法研究及应用朱鹏 幸研 易红 汤文成 (183)

双极场引晶体管:Ⅳ.短沟道飘移扩散理论(双MOS栅纯基)揭斌斌 薩支唐 (193)

研究快报

任意势垒隧穿几率的一种高精度数值算法丁武昌 徐学俊 成步文 左玉华 余金中 王启明 (201)

钒掺杂形成半绝缘6H-SiC的补偿机理王超 张义门 张玉明 王悦湖 徐大庆 (206)

氨化Si基Ga2O3/Co薄膜合成GaN纳米线及其表征秦丽霞 薛成山 庄惠照 杨兆柱 陈金华 李红 (210)

高压pLEDMOS器件在不同应力条件下导通电阻的衰退及改进方法孙伟锋 吴虹 时龙兴 易扬波 李海松 (214)

一种新型的基于滑膜阻尼的电容式双向MEMS惯性传感器董林玺 颜海霞 钱忺 孙玲玲 (219)

一种可编程的2·4GHz CMOS多模分频器李志强 陈立强 张健 张海英 (224)

一种用于功率IC的新型SPICE宏模型赵野 周玉梅 李海松 孙伟锋 (229)

研究论文

流体静压力下应变闪锌矿(111)取向GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的结合能哈斯花 班士良 (234)

钒受主能级在n型4H-SiC中的深能级瞬态傅里叶谱和光致发光王超 张义门 张玉明 王悦湖 徐大庆 (240)

SEU加固存储单元中的多节点翻转刘必慰 郝跃 陈书明 (244)

一种4·224GHz正交压控振荡器的设计李志升 李巍 李宁 (251)

80dB动态范围,用于低中频结构GSM接收机的ΣΔ调制器杨培 殷秀梅 杨华中 (256)

光接收机用0·5mV高灵敏度带有接收信号强度指示的200Mbps CMOS限幅放大器王蓉 王志功 徐建 管志强 (262)

增益提高型套筒式全差分跨导放大器的设计与分析姚志健 马成炎 叶甜春 莫太山 (269)

一种适用于DC-DC变换器的新型混合式数字脉宽调制器陈华 李舜 牛祺 周锋 (275)

一种DC-DC全区间分段线性斜坡补偿电路设计叶强 来新泉 李演明 袁冰 陈富吉 (281)

一种用于降低环振型ADC的温度影响的新型技术李舜 陈华 周锋 (288)

一种用于UHF RFID的低压高效电源产生电路庞则桂 庄奕琪 李小明 李俊 (293)

基于整体退火遗传算法的低功耗极性转换汪鹏君 陆金刚 陈恳 徐建 (298)

基于工艺参数扰动的随机互连线时延分析李鑫 Janet M.Wang 唐卫清 吴慧中 (304)

量子限制效应对限制在多量子阱中受主束缚能的影响郑卫民 宋淑梅 吕英波 王爱芳 陶琳 (310)

UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层 周志文 蔡志猛 张永 蔡坤煌 周笔 林桂江 汪建元 (315)

掺Sm2O3的SnO2纳米粉体对C2H2气敏特性的研究范会涛 张彤 漆奇 刘丽 (319)

基于共振隧穿二极管的应力检测方法熊继军 毛海央 张文栋 薛晨阳 (324)

钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响李诚瞻 刘丹 郑英奎 刘新宇 刘键 魏珂 和致经 (329)

陷阱效应对4H-SiC MESFET温度特性的影响吕红亮 张义门 张玉明 车勇 王悦湖 (334)

双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs的特性分析高勇 孙立伟 杨媛 刘静 (338)

全耗尽型浮空埋层LDMOS的耐压特性成建兵 张波 李肇基 (344)

一种新结构IGBT——内透明集电极IGBT的仿真王浩 胡冬青 吴郁 周文定 亢宝位 (348)

微波和高温器件的一种空气桥互连方法林若兵 魏巍 冯倩 王冲 郝跃 (352)

SGDBR激光器中取样光栅的理论和实验研究 董雷 张瑞康 王定理 张靖 陈磊 江山 赵圣之 (356)

UHF平衡式宽带20W功率放大器黄清华 郝明丽 王宇晨 张宗楠 刘训春 (361)

用于DTMB接收机的10bit,40MS/s,72dB SFDR流水线模数转换器殷秀梅 魏琦 杨斌 杨华中 (366)

智能光模块中可变阈值的信号丢失检测电路王蓉 王志功 徐建 吴俊 管志强 (371)

DES芯片抵御高阶差分功耗分析攻击方法研究李海军 马光胜 刘晓晓 (376)

芯片的EOS失效分析及焊接工艺优化吴顶和 沈萌 邵雪峰 俞宏坤 (381)

基于CMOS模拟电路的径向基函数神经网络梁艳 靳东明 (387)

场引晶体管理论:XI.双极电化电流(薄及厚、纯及不纯基体,单及双MOS栅极)薩支唐 揭斌斌 (397)

研究快报

原位退火对HVPE生长的GaN外延层光学性质和结构的影响段铖宏 邱凯 李新化 钟飞 尹志军 韩奇峰 王玉琦 (410)

f=210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管程伟 金智 刘新宇 于进勇 徐安怀 齐鸣 (414)

利用PtOEP掺杂改善Spiro发光器件的发光效率赵俊卿 乔士柱 许福运 张宁玉 庞岩涛 陈莹 (418)

一种65nm CMoS互连线串扰分布式RLC解析模型朱樟明 钱利波 杨银堂 (423)

一种新型电容式压力传感器黄晓东 黄见秋 秦明 黄庆安 (428)

一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路车文毅 闫娜 杨玉庆 闵吴 (433)

电场对半导体GaAs量子阱中束缚磁极化子性质的影响单淑萍 肖景林 (438)

研究论文

应变Si1-xGex/Si^i能谷附近色散关系的KP理论推导宋建军 张鹤鸣 舒斌 胡辉勇 戴显英 (442)

适用于按比例缩小至亚10nm的圆柱体全包围栅场效应管仿真肖德元 谢志峰 季明华 王曦 俞跃辉 (447)

4H-SiC MESFET肖特基栅接触的界面参数提取吕红亮 张义门 张玉明 车勇 孙明 (458)

埋栅型电力静电感应晶闸管的I-V特性反向转折机理王永顺 李海蓉 吴蓉 李思渊 (461)

毫米波频段宽带CMOS片上巴伦的分析与建模夏峻 王志功 吴秀山 李伟 (467)

金刚石膜电化学清洗硅片表面有机沾污的研究张建新 刘玉岭 檀柏梅 牛新环 边永超 高宝红 黄妍妍 (473)

基于原位水汽生成工艺的栅氧化膜特性孙凌 杨华岳 (478)

10GHz 0.25μm CMOS LC压控振荡器王欢 王志功 冯军 章丽 李伟 (484)

用于1.25GHz Serdes的低时钟抖动的环振的设计肖磊 刘玮 杨莲兴 (490)

一个高线性13位流水线CMOS A/D转换器李福乐 段静波 王志华 (497)

基于切片分析的CMOS组合电路贝叶斯动态功耗模型陈杰 佟冬 李险峰 谢劲松 程旭 (502)

低成本射频识别标签模拟前端分析与设计王肖 田佳音 闫娜 闵昊 (510)

一种用于无源UHFRFID应答器的阻抗匹配方法陈力颖 毛陆虹 吴顺华 郑轩 (516)

异质外延GaN中穿透位错对材料发光效率的影响高志远 郝跃 李培成 张进城 (521)

氢化对ZnO发光性质的影响张源涛 马艳 张宝林 杜国同 (526)

HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征 林郭强 曾一平 段瑞飞 魏同波 马平 王军喜 刘喆 (530)

HgCdTe液相外延材料组分分布的红外透射光谱评价技术顾仁杰 张传杰 杨建荣 陈新强 魏彦峰 (534)

Si衬底MOCVD生长GaN/InGaN多量子阱缺陷TEM研究朱华 李翠云 莫春兰 江风益 张萌 (539)

解理面预处理方法对二次外延的影响张春玲 唐蕾 徐波 陈涌海 王占国 (544)

纳米硅/晶体硅异质结电池的暗I-V特性和输运机制刘丰珍 崔介东 张群芳 朱美芳 周玉琴 (549)

具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性魏珂 刘新宇 和致经 吴德馨 (554)

隐埋层中二维效应对全耗尽SOI非对称HALO结构阈值电压的影响许剑 丁磊 韩郑生 钟传杰 (559)

刻蚀深度对Si衬底GaN基蓝光LED性能的影响张萍 刘军林 郑畅达 江风益 (563)

背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N太阳光盲紫外探测器异质结P—i—n太阳光盲紫外探测器 成彩晶 丁嘉欣 张向锋 赵鸿燕 鲁正雄 司俊杰 孙维国 (566)

一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器的研制杨伟锋 蔡加法 张峰 刘著光 吕英 吴正云 (570)

限流电阻层改善碳纳米管场发射显示器发光均匀度的研究李昕 贺永宁 刘卫华 朱长纯 (574)

铒镱共掺波导放大器的增益特性汪玉海 马春生 李德禄 张大明 (578)

新型大尺寸电磁驱动MEMS光学扫描镜的研制穆参军 张飞岭 吴亚明 (583)

一种1.8V 10位120MS/s CMOS电流舵D/A转换器IP核朱樟明 李亚妮 杨银堂 (588)

一种自适应斜坡补偿电路的设计与实现陈富吉 来新泉 李玉山 (593)

模拟集成电路参数型故障定位方法谢永乐 李西峰 (598)

信息苑

新形势下构建和谐的发展氛围——国家自然科学基金半导体科学学科2007年申请概况分析

场引晶体管双极理论:X.基本物理和理论(所有器件结构)薩支唐 揭斌斌 (613)

双极场引晶体管:V.双极电化电流理论(双MOS栅纯基)揭斌斌 薩支唐 (620)

CMOS射频集成电路ESD保护的挑战王自惠 林琳 王昕 刘海南 周玉梅 (628)

研究快报

异质结n^+多晶硅/n型4H-SiC欧姆接触的制备郭辉 冯倩 汤晓燕 张义门 张玉明 (637)

利用ArF准分子激光退火获得小锗量子点的研究曾玉刚 韩根全 余金中 (641)

静电感应晶闸管在阻断态时的SIT-BJT等效工作模型杨建红 汪再兴 李思渊 (645)

具有双绝缘层和修饰电极的薄膜场效应晶体管白钰 哈克 鲁富翰 蒋雪茵 张志林 (650)

基于0.35μm SiGe BiCMOS的高纯度频率综合器张健 李志强 陈立强 陈普峰 张海英 (655)

一种高效率全pMOS结构AC-DC电荷泵蒋波韡 王肖 闵昊 (660)

研究论文

不同温度下半导体硅势垒的正向I-V特性曲线的汇聚特性苗庆海 卢烁今 张兴华 宗福建 朱阳军 (663)

1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC 徐静波 黎明 张海英 王文新 尹军舰 刘亮 李潇 (668)

GaAs PIN二极管的新等效电路模型吴茹菲 张海英 尹军舰 李潇 刘会东 刘训春 (672)

具有超低导通电阻阶梯槽型氧化边VDMOS新结构段宝兴 杨银堂 张波 李肇基 (677)

混合光栅型的三段式自脉动DFB激光器 陈定波 朱洪亮 梁松 王保军 王鲁峰 孔端花 张伟 (682)

一种适用于ISFET读出的高精度CMOS运放设计张翀 杨海钢 魏金宝 (686)

一种基于单电子隧穿结和MOS晶体管的混合随机数发生器张万成 吴南健 (693)

中医用高精度阵列脉搏传感器的设计淮永进 韩郑生 (701)

26万色TFT-LCD单片集成驱动芯片的Top-Down设计魏廷存 高武 (706)

FDP FPGA芯片的设计实现 陈利光 王亚斌 吴芳 来金梅 童家榕 张火文 屠睿 (713)

一种NCITS 256协议超高频无源射频识别标签刘忠奇 孙旭光 白蓉蓉 张春 李永明 王志华 (719)

基于一种新的时空编码技术的片上总线的低延迟低能耗设计张庆利 王进祥 喻明艳 叶以正 (724)

非晶态碲镉汞薄膜的射频磁控溅射生长及其结构和光学特性 孔金丞 孔令德 赵俊 张朋举 李竑志 李雄军 王善力 (733)

适用频率达到20GHz的射频CMOS衬底电阻的精确提取赵宇航 胡少坚 任铮 (737)

异质结耗尽层基区侧复合对突变HBT重要性分析周守利 任晓敏 (741)

异质栅非对称Halo SOI MOSFET亚阈值电流模型栾苏珍 刘红侠 贾仁需 王瑾 (746)

一种新型全方位反射AlGaInP薄膜发光二极管高伟 邹德恕 李建军 郭伟玲 沈光地 (751)

ZnSe为发光层的蓝绿光薄膜电致发光器件的发光性能姜薇薇 赵谡玲 张福俊 徐征 (754)

高压单边器件的衬底电流再次升高和相关的热载流子注入效应 戴明志 刘韶华 程波 李虹 叶景良 王俊 弗江柳 (757)

离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响刘成 曹春芳 劳燕锋 曹萌 吴惠桢 (765)

基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性闾锦 陈裕斌 左正 施毅 濮林 郑有炓 (770)

铝阳极氧化基板制备过程对埋置型Ta-N薄膜电阻的影响朱大鹏 罗乐 (774)

基于回归正交设计的ICP刻蚀机工艺腔室流场特性分析程嘉 朱煜 段广洪 王春洪 (780)

P型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器的能带设计邓和清 林桂江 赖虹凯 李成 陈松岩 余金中 (785)

热电式微波功率传感器的优化设计韩磊 黄庆安 廖小平 (789)

频率综合器中低功耗高速多模分频器设计的“时间借用”方法袁泉 杨海钢 董方源 钟伦贵 (794)

一种基于OFDM UWB接收机的CMOS下变频混频器胡嘉盛 李巍 李宁 (800)

42″PDP平板显示器扫描驱动IC及其生产工艺的实现洪慧 韩雁 韩成功 王亚林 (806)

无飘移电迁移理论(扩散产生复合俘获理论)薩支唐 揭斌斌 (815)

研究快报

快速退火气氛对300mm CZ硅片吸杂效应和表面微观结构的影响冯泉林 何自强 常青 周旗钢 (822)

基于0.35μm SiGe BiCMOS的2.5GHz低相位噪声LC压控振荡器的设计张健 陈立强 李志强 陈普峰 张海英 (827)

X波段低损耗高隔离开关应用的GaAs PIN二极管吴茹菲 张海英 尹军舰 张健 刘会东 刘训春 (832)

一个0.18μm高速低功耗的发送和接收电路张锋 冯伟 崔浩 杨袆 黄令仪 胡伟武 (836)

研究论文

抛物量子阱中的束缚极化子:分维变分方法邢雁 王志平 梁希侠 (841)

Holstein分子晶体模型能带结构的温度依赖性李德俊 彭金璋 米贤武 唐翌 (845)

生长气体流量对SiC单晶缺陷的影响杨莺 林涛 陈治明 (851)

掺杂室沉积本征微晶硅材料及其在太阳能电池中的应用 孙福河 张晓丹 赵颖 王世峰 韩晓艳 李贵军 魏长春 (855)

底栅和顶栅结构全透明氧化锌薄膜晶体管的制备张新安 张景文 张伟风 王东 毕臻 边旭明 侯洵 (859)

应变硅电子迁移率解析模型李小健 谭耀华 田立林 (863)

考虑量子效应的超薄体双栅肖特基源漏MOSFET电流解析模型栾苏珍 刘红侠 贾仁需 蔡乃琼 王瑾 匡潜玮 (869)

高栅压电子注入损伤对产生电流的影响陈海峰 郝跃 马晓华 (875)

C波段GaAs PIN二极管单片单刀单掷开关吴茹菲 张健 尹军舰 张海英 (879)

90nm CMOS工艺SRAM的优化及应用周清军 刘红侠 (883)

130nm以下光刻禁止光学空间周期的系统性研究赵宇航 朱骏 曹永峰 (889)

太赫兹Si/SiGe量子级联激光器波导模拟陈锐 林桂江 陈松岩 李成 赖虹凯 余金中 (893)

单片集成探测器和电吸收调制器光逻辑门廖栽宜 潘教青 周帆 边静 朱红亮 赵玲娟 王圩 (898)

可应用于光互连的新型高带宽、高灵敏度差分光接收机的概念提出与设计余长亮 毛陆虹 宋瑞良 肖新东 (903)

一种低抖动、宽调节范围的带宽自适应CMOS锁相环宋颖 王源 贾嵩 李宏义 赵宝瑛 吉利久 (908)

用于分数频率综合器的改进型电荷平均电荷泵张健 黄水龙 李志强 陈普峰 张海英 (913)

力平衡MEMS加速度计的系统级建模与仿真张宇峰 刘晓为 陈伟平 (917)

一种1.8V 10位100Ms/s流水线模数转换器设计龙善丽 时龙兴 吴建辉 王沛 (923)

时钟数据恢复电路中相位插值器的分析和设计孙烨辉 江立新 (930)

6H—SiC衬底上异质外延3C—SiC薄膜的结构研究林涛 李青民 李连碧 杨莺 陈治明 (936)

应用于THz辐射的ZnTe单晶生长及测试 王仍 方维政 赵培 张雷 葛进 袁诗鑫 张惠尔 (940)

SiO2/4H—SiC(0001)界面过渡区的ADXPS研究王德君 赵亮 朱巧智 马继开 陈素华 王海波 (944)

一种测量RTD串联电阻的新方法 郭维廉 宋瑞良 王伟 于欣 牛萍娟 毛陆虹 张世林 (950)

多晶硅薄膜晶体管自加热效应温度分布的有限元模拟杨震宇 王明湘 王槐生 (954)

SiGe HBT的Mextram 504模型温度参数提取与模型改进任铮 胡少坚 蒋宾 王勇 赵宇航 (960)

1.46~1.66GHz 250W宽带硅微波脉冲大功率管王因生 李相光 傅义珠 王佃利 丁晓明 盛国兴 康小虎 (965)

P型硅纳米板压阻特性的理论研究张加宏 黄庆安 于虹 雷双瑛 (970)

静压驱动下微流体的流动特性吴昌聚 金小军 金仲和 王跃林 (975)

ICP等离子体刻蚀系统射频偏压的实验研究张庆钊 谢常青 刘明 李兵 朱效立 陈宝钦 (980)

提高基于粉浆法的功率型白光LEDs发光效率的研究李君飞 饶海波 侯斌 胡玥 申发华 (984)

基于0.8μm BCD工艺的20W×2集成D类音频功放设计刘帘曦 朱樟明 杨银堂 过伟 史斌 (988)

一种流水线ADC数字校准算法实现戴澜 周玉梅 胡晓宇 蒋见花 (993)

酞菁钯-聚苯胺修饰声表面波传感器及含磷毒气的检测施云芬 施云波 孙墨杰 冯侨华 (998)

一种低调谐增益变化的宽带电感电容压控振荡器袁路 唐长文 闵昊 (1003)

采用改进电流调制功耗缩放的精度和速度可编程流水线模数转换器魏琦 殷秀梅 杨斌 杨华中 (1010)

基于精简标准单元库的OPC复用技术焦海龙 陈岚 李志刚 杨清华 叶甜春 (1016)

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